三代半導體——氮化鎵發佈於: 科技2020-05-17標籤: 半導體材料外延中年氮化鎵外延片氮化鎵（GaN），是由氮和鎵組成的一種半導體材料，因為其禁帶寬度大於2.2eV,又被稱為寬禁帶半導體材料，在國內也稱為第三代半導體材料。氮化鎵和其他半導體材料對比上圖中我們可以看到，氮化鎵比硅禁帶寬度
