1nm電晶體誕生，計算技術界迎來了新突破。北京時間10月7日訊息，據外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。
電晶體的製程大小一直是計算技術進步的硬指標。電晶體越小，同樣體積的晶片上就能整合更多，這樣一來處理器的效能和功耗都能會獲得巨大進步。
多年以來，技術的發展都在遵循摩爾定律，即當價格不變時，積體電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，效能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦效能，將每隔18-24個月翻一倍以上。眼下，我們使用的主流晶片製程為14nm，而明年，整個業界就將開始向10nm製程發展。
不過放眼未來，摩爾定律開始有些失靈了，因為從晶片的製造來看，7nm就是物理極限。一旦電晶體大小低於這一數字，它們在物理形態上就會非常集中，以至於產生量子隧穿效應，為晶片製造帶來巨大挑戰。因此，業界普遍認為，想解決這一問題就必須突破現有的邏輯閘電路設計，讓電子能持續在各個邏輯閘之間穿梭。
此前，英特爾等晶片巨頭表示它們將尋找能替代矽的新原料來製作7nm電晶體，現在勞倫斯伯克利國家實驗室走在了前面，它們的1nm電晶體由奈米碳管和二硫化鉬(MoS2)製作而成。MoS2將擔起原本半導體的職責，而奈米碳管則負責控制邏輯閘中電子的流向。
眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的製程下，一個模具上就有超過10億個電晶體，而要將電晶體縮小到1nm，大規模量產的困難有些過於巨大。
不過，這一研究依然具有非常重要的指導意義，新材料的發現未來將大大提升電腦的計算能力。