國金證券：中微公司(688012.SH)從點到面的半導體裝置玩家，首予“買入”評級

智通財經APP獲悉，國金證券釋出研究報告稱，中微公司（688012.SH）從點到面的半導體裝置玩家。給予中微未來12-18個月149元目標價位。首次覆蓋，給予“買入”評級。

國金證券指出，中微未來營收及獲利成長的動能是從CCP介質刻蝕轉到層次較高有30-50%溢價及高毛利率的ICP矽/金屬刻蝕。從邏輯轉到刻蝕裝置佔資本開支比較高及要求高深寬比的儲存器刻蝕，及轉到較高單價/毛利率的關鍵層刻蝕裝置。公司未來數年將持續擴大其新裝置研發如Mini/Micro LED外延片MOCVD，化學薄膜沉積，光學檢測，化學機械拋光，清洗等等。

國金證券主要觀點如下：

三大潛力市場，二大核心競爭力，二大外在優勢

定增投入三大潛力市場：1)中微未來營收及獲利成長的動能是從CCP介質刻蝕轉到層次較高有30-50%溢價及高毛利率的ICP矽/金屬刻蝕; 2)從邏輯轉到刻蝕裝置佔資本開支比較高及要求高深寬比的儲存器刻蝕，及轉到較高單價/毛利率的關鍵層刻蝕裝置;3)公司未來數年將持續擴大其新裝置研發如Mini/Micro LED外延片MOCVD，化學薄膜沉積，光學檢測，化學機械拋光，清洗等等。

儲存器刻蝕裝置是未來的主力：儲存器因微縮製程趨緩，刻蝕裝置佔總資本開支的比重相對較高達25%,遠高於臺積電12“ 7/5/3奈米EUV先進製程廠的15%上下。而受惠於國產裝置替代的趨勢,預計中微能拿下國記憶體儲器大廠刻蝕裝置10%的份額，遠高於臺積電的5%不到，所以這是5倍的不同驅動力。

二大核心競爭力：優秀的管理團隊和自主可控的技術，朝向7，5，3奈米晶圓代工CCP和ICP刻蝕機臺，以及128層及以上3DNAND快閃記憶體儲存器超高深寬比CCP刻蝕機臺的研發,中微是少數有國際核心競爭力的國內半導體裝置商。

二大外在優勢：全球及國內半導體裝置市場在2021-2025年將持續同比增長+13-15%及20-30%，半導體裝置國產化率是未來十年中微將享受到的外在優勢驅動力。

風險提示：國記憶體儲器產業延後擴產風險，技術落後風險，MOCVD裝置需求及價格下跌風險，核心管理團隊及關鍵技術人員流失風險，限售股解禁風險。