日前，合肥長鑫儲存技術有限公司與美國半導體公司藍鉑世簽署專利許可協議。依據此協議，長鑫儲存從藍鉑世獲得大量動態隨機存取儲存(DRAM)技術專利的實施許可。
長鑫儲存董事長兼執行長朱一明表示：“與藍鉑世達成的協議再次表明，長鑫儲存高度重視智慧財產權相關的國際規則，持續強化智慧財產權組合。公司致力於透過自主研發與國際合作，不斷增加在半導體核心技術和高價值智慧財產權方面的積累，並以此為基礎實現可持續發展，穩步提升市場競爭力。 ”
藍鉑世總裁兼執行長LucSeraphin表示：“在中國DRAM市場投資顯著增長的背景下，長鑫儲存脫穎而出，成為中國DRAM產業的引領者。我們高興地看到長鑫儲存走上DRAM產業的國際舞臺。 ”
儲存器晶片是中國晶片市場中的最大品類，DRAM被喻為連線中央處理器的“資料高速公路”，廣泛應用於高效能計算、工業裝置、消費電子等電子產品之中。 DRAM專案科技含量高、技術難度大、製程非常複雜，此前我國長期依賴進口。去年投產的長鑫儲存，是我國第一家投入量產的DRAM晶片設計製造一體化企業。（安徽日報 吳量亮）