近日，瑞士洛桑聯邦理工學院研究團隊提出了一種全新的電子裝置散熱思路，可以將冷卻效率提高50倍。
該團隊提出，可以將冷卻系統直接做進晶片內部。在實驗中，他們在氮化鎵晶片表面佈置了冷卻劑通道，靠近發熱最大的電路。論文稱，使用這種方法，0.57瓦/平方釐米的泵浦功率就可以散去超過1.7千瓦/平方釐米的熱通量，冷卻效能提高了50倍，晶片的溫度也被限制在60攝氏度以內。
透過這一設計，電路每輸出1瓦點，只會讓溫度上升1/3攝氏度。以晶片溫度60攝氏度算，該冷卻裝置共可吸收176瓦的能量，所需水流量也低於每秒1毫升。目前的資料中心等大型裝置是用電用水大戶，有了這種新設計，未來冷卻所需的能量有望被降到當前值的1%以下。