SK海力士：未來DRAM會進入10nm以下工藝

　　3月22日訊息，在近期的世界電氣電子學會(IEEE)國際可靠性研討會(IRPS)中， SK海力士代表理事社長李錫熙表示：在今後會改變記憶體的材質，並且還會進一步改善設計結構和可靠性。

　　根據SK海力士方面的說法，未來DRAM產品的製造工藝會逐步推進到10nm及以下工藝。

　　而在NAND產品上，SK海力士認為未來的NAND產品將堆疊到600層以上，並且實現元超過HDD（機械硬碟）的超大容量。並且根據其說法：“到2030年，將全世界所有資料中心的硬碟(HDD)更換為低功耗的SSD，可減少4100萬噸二氧化碳排放。”