3月22日訊息,在近期的世界電氣電子學會(IEEE)國際可靠性研討會(IRPS)中, SK海力士代表理事社長李錫熙表示:在今後會改變記憶體的材質,並且還會進一步改善設計結構和可靠性。
根據SK海力士方面的說法,未來DRAM產品的製造工藝會逐步推進到10nm及以下工藝。
而在NAND產品上,SK海力士認為未來的NAND產品將堆疊到600層以上,並且實現元超過HDD(機械硬碟)的超大容量。並且根據其說法:“到2030年,將全世界所有資料中心的硬碟(HDD)更換為低功耗的SSD,可減少4100萬噸二氧化碳排放。”