眾所周知，近日很多人都被一則訊息刷屏了，那就是北大團隊在碳基晶片方面取得了重大突破。
而我們知道現在的晶片都是矽基晶片，就是利用矽晶圓來製作晶片，而碳基晶片就指不再利用矽，而是用碳作為材料了。
我們在矽基晶片上相對於世界水平來講，是落後的，並且體現在各個方面，比如晶片的設計、製造水平落後，材料、製造裝置也落後。
而碳基晶片將有可能革新晶片的設計、製造等關鍵技術，甚至在材料、裝置上也會進行革新。再加上北大團隊的研究成果領先世界。
所以大家認為碳基晶片將改變我們在矽基晶片上的落後現狀，能夠助力中國芯換道超車，真正走向崛起，因為像光刻等等原有工藝可能會改變了，那麼光刻機等全部不是問題了。
但事實上，我要說的是，大家且慢激動，碳基晶片還只是理論層面，要真正助中國芯崛起，還有很多步要走，不是短時間之內的事情。
首先，碳基晶片其實已經研發了20多年了，1991年就發現了碳電晶體，而科學界這20多年以來，一直在研究製備、提純、排列碳奈米管的方法。而這次北大團隊的研究成果，只是讓碳基晶片有了開始談論規模產業化了的基礎了。
但事實上一種晶片技術從可以規模化的基礎，再到真正的成為可以使用的晶片，中間會是幾年甚至幾十年的研究探索。
這是整個產業鏈的工作，從材料到技術工藝，再到工種裝置都得跟上。而北大研究團隊表示他們下一個目標，是在2-3年內完成90奈米碳基CMOS工藝開發。
看清楚這是90nm工藝，效能上相當於28奈米矽基器件，和現在的5nm的矽基晶片相比，還差得遠。
就算這個目標進展順利了，接下來全產業鏈都湧進碳基晶片，飛速發展著，要真正達到當前的矽基晶片的技術水平，恐怕也得10年甚至更久的時間吧。
更何況新技術的落地研究，從來就不可能一帆風順，會有無數的“坑”要踩，那些先導者稍不注意就會成為“烈士”。
所以說大家且慢這麼激動，雖然這是一個非常好的訊息，但從理論到真正的產品，還得好多年，路還很漫長。