英特爾推出Hybrid Bonding混合鍵合封裝技術 晶片凸點數量提升25倍

英特爾近些年在CPU製造工藝上遇到瓶頸停滯不前，但這Intel在晶片封裝工上也是沒有停下步伐，近些年也是推出了各種先進的封裝技術，其中包括我們熟悉的3D Foveros封裝技術、橫向拼接Co-EMIB技術等等。

而英特爾最近推出了一種全新的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)，這套技術可做到更小的凸點間距，並且可取代當今大多數封裝技術中使用的“熱壓結合”工藝。

根據英特爾介紹，混合鍵合技術能夠加速實現10微米及以下的凸點間距(Pitch)，提供更高的互連密度、更小更簡單的電路、更大的頻寬、更低的電容、更低的功耗(每位元不到0.05皮焦耳)。

Intel目前的3D Foveros立體封裝技術，可以讓邏輯晶片可以堆疊在一起，而其中的凸點間距在50微米左右，每平方毫米整合大約400個凸點，而應用新的混合鍵合技術，凸點間距縮小到10微米，每平方毫米的凸點數量更能達到1萬個，增加了足足25倍。

目前採用混合結合封裝技術的測試晶片已於2020年第二季度流片，不過Intel沒有透露會在哪些產品上使用這項技術。