科技界最新突破性進展:原子級別儲存器!

在科學家的努力下，已經造出了世界最小的儲存單元，其尺寸真的是小到讓人驚歎。

據外媒New Atlas報道，得克薩斯大學的工程師們創造了有史以來最小的記憶儲存裝置之一，由一種二維材料製成，橫截面面積只有一平方奈米。

這種被稱為 “原子電阻”的裝置是透過單個原子的運動來工作的，這將為具有難以置信的資訊密度的更小的記憶系統鋪平道路。

這種新裝置屬於一類新興的電子器件，稱為記憶電阻(Memristors)，它使用電阻開關儲存資料。從本質上講，當某種材料暴露在一定的電壓下時，其電阻可以切換，變得更強或更弱。這種現象可用於將資料寫入裝置，隨後可測量其相對電阻以“讀取”儲存的資料。

該團隊表示，新裝置是有史以來最小的原子儲存器單元。二硫化鉬被製作成尺寸為1×1奈米的薄片，厚度只有一個原子。如果要擴大規模，它可以用來製造每平方釐米約25TB的儲存容量的晶片，這比目前的快閃記憶體所能提供的容量高100倍左右。它執行所需的能量也更少。

【來源:快科技】【作者:雪花】