捷捷微電：“一種快速軟恢復二極體晶片的製造方法”獲發明專利

智通財經APP訊，捷捷微電(300623.SZ)釋出公告，公司於近日取得中華人民共和國國家智慧財產權局頒發的發明專利證書。

該專利為“一種快速軟恢復二極體晶片的製造方法”，專利號：ZL201711095076.7。該發明公開了一種快速軟恢復二極體晶片的製造方法，該製造方法採用外延生長形成摻雜高峰區或刻蝕損傷孔的技術形成二極體的鉑富集中心，從而成為局域少子壽命控制區，無需使用昂貴的裝置進行高能量輻照，極大地降低了成本，且工藝更加簡單，引數的一致性也更好。