臺積電獲支援：力爭2030年前進入埃米工藝時代

比奈米更小的長度單位的是埃米，1埃米是0.1nm。

當前，矽晶片已經實現5nm大規模量產，看起來推進到1nm並不遠。

據媒體最新報道，以臺積電為代表的半導體廠商已經獲得支援，並被期許在2030年前量產1nm以下工藝。

為協助臺積電、穩懋、華邦、日月光等提前佈局12寸晶圓製造利基裝置，現正規劃推動高雄半導體材料專區，建立南部半導體材料S廊帶，旨在掌握關鍵化學品和材料最佳化引數，建立戰略供應鏈。

有觀點將2030年定義為超摩爾定律時代，IC產品邁向多元化和極致效能，並進入埃米尺度。

從頭部核心裝置光刻機的角度，ASML目前公開的路線圖最遠規劃到型號EXE:5200，數值孔徑0.55NA，矽片、曝光潔淨室逼近物理極限。

按照ASML的說法，現今5nm/7nm光刻機已然需要10萬+零件、40個集裝箱，而1nm時代光刻機還要比3nm還大一倍左右。