國家儲存器基地專案二期開工，規劃月產能20萬片
（文/觀察者網 呂棟）6月20日，紫光集團釋出訊息，由長江儲存實施的國家儲存器基地專案二期（土建）在武漢東湖高新區開工，規劃產能20萬片/月，達產後與一期專案合計月產能將達30萬片。
不容忽視的是，行業龍頭三星近期也在快閃記憶體領域動作頻頻。6月1日，其宣佈在韓國平澤擴產NAND快閃記憶體，該公司在西安的快閃記憶體晶片專案也在持續擴大投資，計劃建成全球規模最大的快閃記憶體晶片製造基地。
觀察者網注意到，受上述訊息影響，今天A股早盤，光刻膠、半導體、國產晶片等板塊紛紛走強。個股方面，瑞芯微、北方華創、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測控等積體電路概念股均大幅上漲。
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一期主要實現技術突破
紫光集團介紹，長江儲存國家儲存器基地專案由紫光集團、國家積體電路基金、湖北省科投集團和湖北省積體電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND快閃記憶體晶片工廠，總投資240億美元。
其中，專案一期於2016年底開工建設，進展順利，32層、64層儲存晶片產品已實現穩定量產。
在開工儀式上，紫光集團、長江儲存董事長趙偉國表示，國家儲存器基地專案一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的儲存器晶片工廠，實現了技術水平從跟跑到並跑的跨越。
在64層快閃記憶體量產7個月後，長江儲存今年4月宣佈新的研發進展，其跳過96層，成功研製出業內已知型號產品中最高單位面積儲存密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶片容量的128層快閃記憶體。
談及量產時間，長江儲存當時向觀察者網表示，配合前述產能，128層NAND快閃記憶體將於今年年底到明年上半年陸續量產。
2019年9月，長江儲存核心廠區 圖片來源：長江儲存官網
西南證券6月21日分析指出，長江儲存一期主要實現技術突破，並建成10萬片月產能，計劃將於2020年底滿產，考慮到國外廠商擴產情況，屆時長江儲存市全球佔率將達5%左右。
“2018年長江儲存突破32層3D快閃記憶體，與國外差距3-4年；2019年其實現64層技術量產，與國外差距縮小至2年；今年4月，長江儲存128層QLC 3D快閃記憶體研製成功，若128層年底實現量產，則與三星、海力士、美光等國外廠商技術差距縮小至1年，一期的技術突破任務已基本完成。”該券商分析稱。
華創證券分析指出，儲存器是資訊系統的基礎核心晶片，最能代表積體電路產業規模經濟效益和先進製造工藝，也是中國進口金額最大的積體電路產品。近些年記憶體、固態硬碟、顯示卡價格屢現上漲，根源在於儲存晶片掌握在少數國外廠家手中。國產化將降低國內半導體產品成本，並提升上游裝置公司訂單。
6月9日，基於二季度資料，SEMI（國際半導體產業協會）調整2021年全球晶圓廠裝置開支規模的預測值，由此前預估的657億美元上調至創紀錄的677億美元，預計同比增長率為24%。其中，儲存器工廠的裝置開支規模最大，預計達到300億美元。
前述券商統計資料顯示，截至今年6月20日，國內裝置廠商在長江儲存中標數量排名依次為：北方華創（中標56臺）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半導體（18）、華海清科（11）、精測電子（8）、瀋陽拓荊（5）、中科飛測（3）、睿勵（2），覆蓋刻蝕、沉積、檢測、清洗、CMP多個領域。
三星、海力士紛紛擴產
事實上，目前全球快閃記憶體市場仍高度集中且被國外廠商壟斷。2020年一季度，三星、鎧俠（東芝）、西部資料、美光、海力士、英特爾等在全球快閃記憶體市場合計佔有率超99%。
資料來源：TrendForce
3月底，集邦諮詢半導體研究中心（DRAMeXchange）的調查顯示，雖然新冠疫情蔓延，使得2020年第一季度的終端產品出貨動能格外疲弱，但在快閃記憶體（NAND Flash）領域，由於2020年全年供給收縮，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
展望第二季度，該機構指出，北美及中國市場資料中心的買方態度仍相當積極，企業級固態硬碟（Enterprise SSD）也成為所有應用類別中缺貨態勢最為明顯的產品。由於Enterprise SSD佔整體NAND Flash出貨比重持續提升，因此價格的強勁表現也帶動第二季整體NAND Flash均價將上漲至少5%。
資料來源：TrendForce
而隨著“宅經濟”推動對儲存需求的增加，加之價格上漲，龍頭廠商也紛紛開始擴產。
6月1日，路透社報道，三星電子宣佈，將擴大其在韓國平澤市（Pyeongtaek）的NAND快閃記憶體晶片生產能力，以押注未來對個人計算機和伺服器的需求，因為新冠病毒促使更多人在家工作。
報道指出，三星計劃在明年下半年大規模生產該晶片，新增的產能將有助於滿足對5G手機和其他裝置的需求。分析師預計，三星此次投資額將在7萬億韓元至8萬億韓元（約合65億美元）之間。
7個月前，三星宣佈啟動西安快閃記憶體晶片（NAND）專案二期第二階段80億美元（約合人民幣563億元）投資。專案建成後將新增產能每月13萬片，使西安成為全球規模最大的快閃記憶體晶片製造基地。
與此同時，據DIGITIMES今年4月報道，SK海力士將在韓國M15工廠增加NAND Flash產能。
報道指出，之前因為市場供過於求，SK海力士把2019年NAND Flash晶圓較2018年減少10%以上，這也導致該公司工廠產能爬坡的速度有所減緩，不過在三星投資加速的刺激下，SK海力士或也在考慮提高增產的速度。
觀察者網專欄作者鐵流此前分析，由於中國企業在NAND Flash和DRAM兩種儲存晶片方面的市場佔有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少數國際大廠所壟斷，特別是韓國企業擁有非常高的市場份額，這直接導致儲存芯片價格很容易受到壟斷企業決策影響……長江儲存在64層NAND上取得突破，未來將有效緩解了在NAND上單一依賴進口供應的局面。
（編輯：周遠方）
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