在去年開始量產 128 層的第六代 NAND 快閃記憶體晶片之後，三星又在兩個月前宣佈研發 160 層的 NAND 快閃記憶體晶片。 現在援引韓媒報道，這家韓國晶片巨頭已經成立了一個專家組，以提高其快閃記憶體晶片的生產良率。
據悉，該小組有來自三星裝置解決方案(SDS) 製造技術中心的專家、以及負責 NAND 快閃記憶體生產的高管。新的團隊將解決晶片生產過程中出現的任何問題，並實施提高整個流程生產效率的步驟。
目前在 128 層 V-NAND 快閃記憶體晶片生產方面，三星面臨著 英特爾 和YMTC(長江儲存技術有限公司)等公司的激烈競爭，因此公司希望確保工藝是行業內最高效的，並提高生產良率。公司還在投資擴大記憶體晶片的產能。
韓國晶片巨頭採用的是通道孔蝕刻技術，從上到下穿孔疊加128層。這提供了層與層之間的電連線。層數越高，記憶體容量越大。單堆疊法表示一次穿孔的工藝，三星在生產第6代NAND快閃記憶體晶片時採用了這種方法，以提高價格競爭力。還有一種雙層疊加法，就是分兩步穿孔，但成本高達30%以上。
據稱，與穿透96層NAND快閃記憶體晶片相比，穿透128層NAND快閃記憶體晶片所需的時間是其兩倍。三星的新任務組將努力克服儘可能多的限制，形成更大的技術壁壘。這是三星“Super Gap”計劃中的重要一環，希望透過巨大技術優勢讓競爭對手無法追趕。
【來源:cnBeta.COM】