三星電子和臺積電都計劃開發3nm工藝技術。據外媒報道，三星在IEEE國際固態電路會議上分享了即將推出的3mm GAE MBCFET晶片製造細節。
GAAFET電晶體在結構上有兩種形式，是目前FinFET的升級版。三星表示傳統的GAAFET工藝用三層奈米線構建電晶體，柵極相對較薄；而三星MBCFET工藝使用奈米片來構建電晶體，已為MBCFET註冊了商標。三星表示，兩種方法都可以達到3nm，但要看具體設計。
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三星分享3mm GAE MBCFET晶片製造細節
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