如果說2019年公眾才認識到我國在晶片領域如何薄弱，2020年便是我國在晶片領域勾勒地基的一年。如今，辛勤的耕耘，終於到了開花結果的時候——中芯國際傳來好訊息，這一次三星與臺積電怕是無法阻攔了。
中國每年要花費3000億美元進口國外晶片，這筆費用比進口石油花費還要多，因為我國還不能製造出先進的晶片，這是中國半導體當下的現狀。
在晶片研發設計領域，華為海思歷經數十年的科研投入，終於看到了回報。目前，華為麒麟晶片正在向全球一流水平全力衝擊，目前已經取得了優異成績。
資料顯示，2020年一季度華為麒麟晶片出貨量首次超過高通，市場份額達到43.9%，高通市場份額為32.8%，華為終於成為中國手機晶片市場的第一。
在晶片製造領域，中國的代表企業是中芯國際，目前可以實現14nm晶片的量產，但是和臺積電相比還有差距。在光刻機制造領域，中國的代表企業是上海微電子，目前只能生產90nm光刻機，而荷蘭ASML公司可以製造7nm光刻機，差距很大。
需要注意的是：華為海思是一家晶片研發設計公司，目前無法制造晶片；製造晶片的是中芯國際，而光刻機又是製造晶片的關鍵裝置。
中芯國際：用落後的裝置，研究先進的技術晶片工藝大致分為晶片設計、晶片製造、封裝檢測三個過程，晶片設計有華為海思撐場面，封裝檢測的技術含量也不高，真正困擾了我國晶片製造業發展的，便是倒在了中間環節上。
中芯國際是我國唯一一個掌握了先進晶片代工技藝的企業，14nm的工藝製程是公司最成熟的技術，然而三星和臺積電早就接了5nm晶片的訂單，目光瞄準了3nm領域。
中芯國際有梁孟松和蔣尚義這樣的，世界晶片領域的泰斗人物，缺少的並不是人才和決心，而是用來加速研究程序的先進的光刻機，這直接影響到了晶片工藝製程的推進速度。
中芯國際與ASML關於高階EUV光刻機（能生產5nm晶片）的談判，持續半年之久，尚未取得明確的結果，因此中芯國際一直都是用落後的裝置研究著先進的技術。萬幸，這次中芯國際又傳來了新的訊息。
第二代N+1工藝趨向成熟，7nm晶片開始風險量產中芯國際表示第二代N+1工藝工藝全面突破，趨向成熟，經過一段時間的測試後，今年4月將用在7nm晶片的風險量產上。這意味著，我國實現晶片自我供應的目標或許快要實現了。
N+1工藝是中芯國際的獨門絕技，由梁孟鬆開創出來，這一工藝最厲害的地方在於，可以使落後的裝置也能加工出先進的晶片，上一代的時候是作用於14nm，現在就到了7nm。
7nm晶片的先程序度就是2019年釋出的華為mate30、iPhone11的程度，這些手機適配的都是7nm晶片，至今功能依舊過剩，何況電腦晶片除了M1以外，幾乎普遍的9nm及其以下的級別。
風險量產過後，意味著中芯國際就有了與臺積電、三星搶奪7nm晶片市場的資本，在這個時候傳出這樣的好訊息，無疑是極其振奮民心的，人們不知道的是，其實中芯國際還打破了臺積電和三星的多項紀錄。
中芯國際得不到臺積電和三星的技術指導，更沒有ASML提供的最新裝置進行試驗，反觀臺積電，研究5nm工藝製程的時候用的是最高階的EUV光刻機，三星也是如此。
中芯國際是艱難的，然而他靠著一堆落後裝置，硬是隻用了3年的時間就將工藝製程從28nm推到7nm。三星和臺積電為此花費了十數年，可想而知中芯國際的工程師多麼卓越，大國工匠也不過如此。
工藝突破到7nm的時候，5nm已經不是一個遙遠的資料。工藝和速率上的雙雙突破錶明，中芯國際歷經梁孟松的離職風波後，終於開始逐步展露自己的鋒芒，或許是這個時代不需要他再低調下去吧。
我們設想華為海思設計晶片、中芯國際製造晶片，這一切至少說明了一個問題，那就是我國已經初步擁有了晶片自我供應的技術基礎，而距離國家提出這一目標的時間還不到半年。
2020年我國在晶片材料、晶片裝置、晶片工藝上都是痛定思痛的一年，但是民族依舊是保持樂觀，卯足幹勁，中芯國際能用3年的時間追趕上別人十數年的研發成果，照此以往，我們又有什麼理由不相信中芯國際能追趕上臺積電和三星呢？