【手機中國新聞點】三星和臺積電都開啟了3nm製程工藝的研發，如今前者已經開始對外展示了一些3nm工藝的技術內容。三星在IEEE 國際固態電路會議上，向與會者分享了3nm GAE MBCEFET晶片的製造細節。
據介紹，三星GAAFET電晶體在構造上有兩種形態，是目前FinFET的升級版。一是傳統的GAAFET工藝，採用三層奈米線來構造電晶體，柵極比較薄；二是三星提出的MBCFET工藝，使用奈米片構造電晶體，完全相容FinFET設計，不需要任何新的製造工具，同時可透過GAA結構減輕短溝道效應，還透過擴充套件通道面積來提高效能。
三星曾在2019年介紹過GAE工藝的原理，而且當時還宣佈未來10年將會在包括代工業務在內的邏輯晶片業務上投資133兆韓元以超越臺積電，成為全球第一大晶片代工廠。另外，GAE工藝相比7LPP工藝，可實現30%的效能提升，功耗降低50%，電晶體密度提升80%。