IT之家6月23日訊息 據韓國媒體ETNEWS報道，三星電子計劃新建一家大型半導體工廠。鑑於面積比上一個增加了 50% 以上，因此，它採用"綜合半導體工廠"的形式，同時生產 DRAM、NAND 快閃記憶體和其他器件，並有望引入最新的工藝技術。據悉，"P3"計劃於今年9月在平澤動工，於2021年完成。
▲ 三星電子平澤工業區航空攝影 圖源三星電子官網
IT之家瞭解到，三星電子此前在平澤已有名為"P1"和"P2"的半導體工廠，其中“P2”於去年完工。
據業內人士21日透露，三星電子正準備在平澤建設一所更大的的半導體工廠“P3”，預計今年9月動工。目前三星電子對於該廠的建設已經做了大量前期準備。
目前三星最大的半導體工廠“P2”長度為400米，據報道“P3”的長度將達到700米。“P3”預計將在明年8月前後完成，並在生產線除錯完成後試生產，從2021年底開始量產最新工藝的晶片，包括生產影象感測器、DRAM、NAND 和SoC處理器等半導體器件。
報道稱，三星電子的目標是在2030年成為非記憶體半導體市場的領頭者。