眾所周知，自去年起美國對我國華為企業展開了步步緊逼的晶片制裁戰略，先是中斷了美國企業與華為多年來穩定的晶片供應合作，之後更是對華為與其他晶片供應商的合作進行干擾，先後中斷了華為與臺積電以及荷蘭ASML等半導體相關產業生產企業的合作。
這一系列的舉措看似是為了中斷華為的晶片供應產業鏈，實則是想要逼迫華為退出5G領域。
如今看來美國的這一目的並未能輕易實現，此舉反而大大刺激了我國晶片行業的進行，當前不僅僅是在手機晶片領域，我國儲存晶片甚至是軍用晶片技術都獲得了巨大的前進，當前長江儲存晶片即將誕生，這一技術水平甚至讓美國科技圈直呼不可思議。
所謂長江儲存晶片是由長江儲存科技集團研製的一款新型晶片，也是我國擁有的第一款NAND系列晶片，根據該企業相關負責人的表態，這款晶片將在今年的下半年在中國市場正式上市，成為我國儲存晶片領域的新標杆。
其實早在今年上半年的四月份，該企業就有所暗示，將在儲存晶片領域大有作為，當時該企業表示當前工作的重點在於一款128層的快閃記憶體晶片，不僅大大提升了晶片的儲存空間，還提高了速度傳輸的速度。
如今看來該企業在這款晶片研發方面的技術已然相對成熟，當前只是還需要在細節上加以完善，以提高其量產的生產效率，此次在儲存晶片領域的前行，將進一步拉近我國與韓國三星等知名晶片企業的差距。
早些年受制於晶片製造材料的缺乏，我國儲存晶片也需要大量依賴於國際進口，每年在該專案上耗費的資金高達3000億。
而此次中國長江儲存晶片的誕生，不僅將改變我國儲存晶片需要依賴於國際進口的命運，同時還極有可能將我國晶片推向國際市場，吸引其他企業前來購買，對於中國晶片能夠獲得如此快速的發展，美國企業也表示有些驚訝。