中微半導體裝置生產研發基地開工,年產200腔體MOCVD裝置

8月5日上午,南昌高新區舉行2020年重大重點專案集中開工儀式,以中微半導體裝置生產研發基地為代表的27個專案集中開工。

南昌中微半導體裝置有限公司於2017年12月成立,是中微半導體裝置(上海)股份有限公司全資子公司。該專案於2018年3月實現南昌製造,5月實現全面投產,9月實現規模生產,2019年實現產值9.2億元。

南昌中微半導體裝置生產研發基地專案總投資約10億元,總建築面積約14萬平方米,該專案達產後將實現年產200腔體MOCVD裝置的生產能力。

據瞭解,中微半導體裝置公司將在南昌大規模製造具有自主智慧財產權MOCVD裝置,打造成為全球最重要、規模最大的高階MOCVD裝備製造基地,推進在南昌開展MOCVD相關的基礎科學研究和第三代半導體應用產品開發,逐步將南昌中微打造成世界級MOCVD研發、製造及創新中心;積極促進中微公司生產基地及上下游供應鏈企業落戶南昌,形成半導體高階裝置製造的產業叢集。

據南昌高新區報道,受新冠肺炎疫情影響,今年以來,市場對深紫外LED等具有防毒功效產品的需求猛增,深紫外LED應用空間廣闊。南昌中微半導體裝置有限公司抓住機遇,積極投入研發力量,研製出了具有自主智慧財產權的高溫MOCVD裝置Prismo HiT3,該裝置是生產深紫外LED的關鍵裝置。今年6月,首批HiT3機臺已從南昌發給客戶。

中微半導體的落戶,為南昌高新區打造了從MO源、襯底材料、外延、晶片、封裝、終端應用及MOCVD核心關鍵生產裝置等自主智慧財產權的LED完整產業鏈,成為全國唯一擁有LED全產業鏈原創技術自主智慧財產權的開發區。(來源:全球半導體觀察)

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