IT之家6月14日消息 美光控告中国台湾晶圆代工巨头联电帮中国晋华窃取DRAM制程案，12日台中地院做出判决，联电3名主管最高遭判刑6年半，联电也被判罚1亿元。
台媒《科技新报》报道，台中法院6月12日就全球前4大晶圆代工厂之一的台湾联电被控，协助中国福建晋华以窃取美商科技大厂美光（Micron）动态随机存取记忆体（DRAM）生产技术一案作出判决，涉案的戎乐天、何建廷、王永铭等3人被处以4年半到6年半的徒刑。
曾经任职台湾美光总经理与联电副总的中国福建晋华总经理陈正坤，检方以另案进行调查，而联电被处以新台币1亿元的罚款。
IT之家了解到，案件起源于2016年，当时联电与中国福建晋华集成电路公司签署技术合作协定，协助中国福建晋华开发32纳米DRAM相关制程技术。之后，中国台湾美光的3名高阶主管随即转任联电，引发商业间谍案疑云，最终导致美光、联电与中国福建晋华之间在美国、中国台湾以及中国大陆3地的司法控诉。
目前，除了台湾方面已起诉相关人等，美光同样于美国提告，并在2018年11月1日正式起诉中国福建晋华、联电以及陈正坤、何建廷、王永铭共谋窃取、传输，以及持有美光的营业秘密和经济间谍罪。一旦相关罪名成立，包括陈正坤等被起诉人将面临经济间谍罪最重15年徒刑以及500万美元罚款。另外，此案还涉及窃取营业秘密罪，涉案人面临最重10年的徒刑。
值得注意的是，联电和中国福建晋华一旦在美国被控罪名成立，可能面临最高200亿美元的罚款。
联电对此表示，并未违反营业秘密法，将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。