存储器在全球半导体市场中，有着举足轻重的作用，需求量在众多芯片中排名第一，但垄断却最为严重，多年来一直被美韩企业牢牢把持在手中。存储器的技术难度虽不算最高，然而，由于我国起步较晚，很长时间以来只能依赖进口。
直到2016年，我国才开始在存储器领域的攻坚克难。为实现中国信息安全自主可控，在紫光集团与国家集成电路产业基金等多家基金、投资机构的联合下，“国家存储基地”项目轰轰烈烈地开展开来。其一期项目斥资1700亿元，于2017年开启建设。
如今，仅仅过去了四年的时间，我国国产闪存芯片便迎来曙光，打破了日韩企业的垄断。32层3D NAND闪存、64层堆栈闪存技术等，被相继拿下。目前我国虽与美韩企业还有着一代的距离，但已经实现了从无到有，从有到优质的跨越式进步，可喜可贺。
而在今年6月，国家存储基地二期工程也有序展开。这一次，国家再投1700亿元，于武汉东湖高新区正式开工。此举标志着我国在芯片国产化上又前进了一步，本次的主要目的是扩大产能，目标为3D NAND芯片月产能达20万片。3D NAND芯片是当前最主流的闪存芯片，重要性不言而喻。
在二期工程建成后，我国存储器的地位将进一步提升，值得期待。更值得注意的是，在今年4月，国家存储基地还实现128层堆栈闪存的攻克，全球首款128层三维闪存芯片便从其手中诞生。其直接跨过了96层堆栈闪存，进一步追平了与美韩巨头之间的差距，表现令人惊异。
除长江存储国家存储基地外，长鑫存储与福建晋华也是我国存储芯片领域的主力军。目前，我国存储芯片企业正加快布局，加大投产，致力于形成规模效应。长江存储所着力的NAND flash芯片，与长鑫存储与福建晋华正着力发展的DRAM，都是当前业界主要的存储芯片种类，有着十分关键的地位。
笔者相信，随着这些企业的不懈努力，我国在存储芯片领域将逐渐能与行业巨头同台竞技，尽早实现我国信息安全自主可控。目前，我国是半导体产品的需求大国，但却有大片的市场空白，还需进一步努力。
对于我国存储芯片的发展，你怎么看呢？