图为碳纳米管
最近中国科学院对外宣布，中国科学家成功研发出了新型垂直纳米环栅晶体管技术，有望用于半导体芯片的制造当中，据称在这项技术用于芯片制造当中后，芯片的运行速度将比美国高通已有的产品快1000倍，并且它的成熟度已经很高，即将大批投入生产，看来国产芯片有望实现弯道超车，华为终于有希望了，但是对此有专家表示，实际情况可能比这些人的乐观预期还有一些差距。
图为碳纳米管芯片
目前世界各国在生产半导体芯片时，采用的材料一般是高纯硅，依靠硅材料本身的半导体特性在芯片上集成数目巨大的晶体管，而芯片规格当中所谓的多少纳米，指的就是芯片中晶体管的大小尺寸，这个数字越小，单位面积上能够集成的晶体管数目就越多，芯片的性能也就越优秀，但是由于硅元素本身的一些特性，在2nm这个级别的尺寸上晶体管的性能会受到影响，出现了一个难以突破技术瓶颈。
从目前的技术来看，突破这个技术瓶颈的手段是制造新元素芯片，比如以碳元素而非硅元素为材料的半导体芯片，用碳纳米管取代硅晶体管，由于导电能力远比硅芯片强，碳纳米管的体积相比传统的硅基晶体管优势巨大，保守估计，采用碳纳米管的芯片其计算能力将会是采用晶体管的芯片的千倍以上，而中科院能够成功研发出新型垂直纳米环栅晶体管技术，意味着中国已经摸到了信息时代下一次大变革的门槛，有望实现弯道超车。
图为两种不同的硅晶体管
其实这项技术并不是由中国首创的，早在2016年美国劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队就已经掌握了这项技术，将晶体管制程缩减到了1nm，但是成功研发了这项技术的Max教授都对将碳纳米管产业化不抱希望，认为至少在短期内碳纳米管是根本没有希望取代硅晶体管，成为计算机芯片的主流的，这次中国团队在美国的基础上将碳纳米管芯片向产业化推进了巨大一步，但也面临着很多难以突破的问题。
虽然相比硅晶体管，碳纳米管具备更优异的电学性能，但是碳纳米管的制备工艺非常复杂，在走出实验室进入工厂车间之前，还要经过长时间的摸索确定一种性价比最高的大规模生产手段，同时碳纳米管的性能还不成熟，哪怕在实验室当中，碳纳米管芯片的良率，电路的抗干扰能力和芯片的实际运算速度等性能都存在很大的劣势，毫不客气的说，目前技术条件还不具备任何大规模量产碳纳米管芯片的能力。
图为硅-石墨烯-锗高速晶体管的结构模式图
但碳纳米管芯片毕竟代表着技术的发展方向，这次中国团队的开发让这种芯片具备了中等批量生产的能力，可以说在产业化方面已经迈出了巨大一步，相信在大力投入开发后不久，中国就能用上这款碳纳米管芯片，从而在半导体发展之路上实现弯道超车。