Intel的弱后是自找的:明明可以把7nm改为5nm,非不要

最近因为华为的问题,半导体行业引起了很多网友的关注,而半导体行业中有两个大佬,一个是三星另外一个是Intel,这家巨头一直都在争夺行业第一的位置。去年全球10大半导体企业排名中,Intel终于又超过了三星,重新回到了第一的位置。只不过Intel的这个第一,似乎并不是很服众,因为在大家的眼中,Intel的技术已经被台积电给秒杀了,台积电的技术要远远比Intel的技术更高,凭什么Intel是半导体第一。

网友们为什么会有这样的疑问呢?从最直观的工艺上来看,相信大家也都知道工艺制程越小,代表着工艺越先进,就那台积电来说,5nm工艺肯定要比7nm工艺先进,也就代表着5nm工艺的芯片要比7nm芯片的性能更强。2018年台积电已经实现了7nm的商用,但是Intel还是在14nm,而今年下半年台积电就要进入5nm工艺了,而Intel也仅仅还是10nm,Intel也需要明年才进入7nm工艺,这弱后了不下两年。但实际上并不是这么回事,Intel弱后其实是自找的。

从公布的工艺命名上来看,Intel确实要比台积电弱后不少,但其实并非如此。因为Intel完全可以把自己的10nm称为7nm,把自己的7nm称为5nm,虽然说还是稍微弱后,毕竟台积电已经率先实现商用了,但Intel和台积电的差距也没有很大。在2016年的时候,就有人质疑过台积电的7nm工艺,因为到时Intel仅仅还在研发10nm,但台积电已经开始研发7nm了,于是有人提出台积电对比下和Intel的差别,但是被台积电拒绝了。

但到了2019年,台积电也承认了,其实XXnm的说法并不科学,因为XXnm和晶体管栅极已经不是绝对相关了,XXnm的工艺制程的说法已经是一种营销游戏了,与科技本身的特殊性没有关系了。那么到底什么才能够说明芯片制程的先进程度呢?

晶体管密度,还是有很大参考意义的,因为这个是根据摩尔定律来定义的,台积电的10nm时的晶体管密度为52.51MTr/mm,也就是说每平方毫米内包含超过了5251万个晶体管,到了7nm晶体管的数量就是9120万个,而到了5nm时代,晶体管数量就是1.713亿个,说实话进步还是很大的,也正是因为晶体管数量的增加,所以芯片性能才会蹭蹭蹭的往上涨。

那么在看看Intel的,Intel的10nm工艺,晶体管密度为100.76MTr/mm,也就是每平方毫米1亿个,这要比台积电的7nm要多少行不少,而Intel的7nm工艺,晶体管数量就超过了2亿个,也要比台积电的5nm多上不少。晶体管数量其实直观的反应芯片的性能强弱,晶体管越多,芯片性能就越强,所以其实Intel的工艺并不会比台积电弱后多少,所以真要Intel把自己的7nm称为5nm其实也不为过,但Intel非不要

虽然说台积电的工艺更为先进,而Intel的工艺相对弱后一点,但是差距并不大,但不管怎么说这两家都要比我们国内的任何一家工艺都强大,都是我们值得学习的地方。半导体一直以来都是我们国内的弱项,所以还需要我们不断的学习,不断努力,希望在未来的10大半导体榜首的争夺上,也有我们国内的企业,相信到了那时候,也不会有像华为这样的企业面临无芯可用的尴尬境地了。你觉得呢?

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