华为和台积电的芯片合作从28nm芯片就开始了，在长期的合作中，华为和台积电已经构建起了互相信任的合作关系，华为已经成了台积电营收的重要来源。虽然华为已经成为芯片设计领域的巨头，但是要想在芯片综合性能上战胜高通，不得不选择台积电最先进的工艺制程才能力压高通芯片一头，因此选择台积电的先进工艺也成为了华为战胜高通必然选择。
众所周知，台积电的最新工艺正在向2nm芯片制程进军，而2nm芯片已接近硅基芯片的物理极限，也就是说进入2nm后，芯片制程的进步将进入停滞状态，无法再进步了。这就要求台积电、三星等半导体芯片制造厂商研发新的技术以寻求芯片的进步，目前全球公认的下一代芯片制造替代材料就是石墨烯、碳基半导体材料。也就是说谁能找到新的芯片制造方法，谁就能获得未来芯片制造的主动权，谁就能在未来赚得盆满钵满。
而对我国来说，虽然我国这几年芯片的制造技术突飞猛进，进步很快，中芯国际已进入了12nm芯片制造，但是受限于EUV光刻机的限制，要想再进一步势比登天。在光刻机领域，我国只能制造出90nm的光刻机，按照上海微电子传闻中的最新工艺也只能制造28nm的芯片，即使使用多重曝光技术，最多也只能进入12nm芯片制造，相对于世界先进半导体制造的差距是20年左右，随着美国对我国半导体设备的限制的进一步升级，7nm以下芯片的制造更是遥遥无期。
如何在硅基芯片上突破美国半导体技术和设备的限制，已经成为了摆在中国半导体产业面前不可逾越的难题，否则我国的芯片制造业将永远受制于人。那么要想突破这一瓶颈，我们唯一的途径只能谋求换道超车。而近日传来了一个好消息，有可能让中国芯片制造技术有可能实现弯道超车，华为也不用再担心美国的芯片断供了，中国芯片制造将有可能彻底摆脱荷兰EUV光刻机的制约。
5月26日是个值得纪念的好日子！就在这一天北京碳基集成电路研究院宣布，中国科学院院士彭练矛和张志勇教授的基于碳基纳米管晶体芯片的研发团队，经过20多年的潜心攻关，终于不负众望在新型碳基半导体材料的制备上取得重大突破，不仅突破了碳基半导体材料的制备技术瓶颈，而且在全球率先实现了碳基纳米管晶体管的制备工艺突破。这意味着该研究院将打破传统的硅基半导体再造瓶颈，芯片将进入碳基芯片时代，同时不但解决了碳基材料的纯度、密度、面积等难题，也使得碳基芯片的制造成本更低、功耗和更小，效率更高。
在5月26日的记者见面会上，彭练矛教授还披露，如果手机使用同等栅长的硅基芯片看电视只能使用3小时的话，那么使用同等栅长的碳基芯片就可以连观看9小时。这意味着碳基芯片有望将传统的二维硅基芯片升级到三维碳基芯片，运行速度提升3倍以上，有望很快在手机和基站上使用。
据彭练矛院士透露，2年前研究院的实验生产线就已经制造出了4吋5微米栅长的碳基芯片，相当于当时的28nm硅基芯片工艺。而今年再次发布的碳基芯片比2年前同等栅长的芯片综合性能上提升了10倍以上，已基本上具备了碳基芯片规模化制造的基础，已经可以和前端射频期间厂家对接，目前研究院正在和华为等国内厂商技术对接。
目前我国碳基芯片关键技术全球领先，彭练矛研发团队建议，我国应该充分抓住技术领先的时间窗口，率先实现新技术新工艺的产业化，抓紧改变我国的芯片制造的落后状态。而且彭练矛团队的碳基芯片制造技术还可以兼容硅基芯片制造技术，因此该技术成果对于我国芯片再造换道超车具有重要的意义。
目前，中美之间的华为战争正处于胶着状态，该研究院碳基半导体技术的重大突破，意味着我国将改变对美国半导体技术和设备的过度依赖，成功在碳基半导体制造技术领域实现换道超车，华为从此也不用再担心美国芯片的断供了，华为或将成为我国碳基芯片技术突破的最大赢家。