来源 ：钜亨网
随着全球芯片制程技术持续进化，南韩科技巨头三星电子 (Samsung Electronics) 宣布，已经开始量产使用极紫外光 (EUV) 光刻技术制造的第三代 10 纳米级 LPDDR5 DRAM 芯片，领先于业界，未来 DRAM 制程也将有望朝向个位数奈米制程前进。
三星电子宣布，该公司位于南韩平泽市的第二条半导体生产线，已经开始量产领先于全球的第三代 10 纳米级 LPDDR5 DRAM 芯片，达到业界内最大的容量和最快的速度。
三星电子最新的 10 纳米级 LPDDR5 DRAM 芯片，传输运行速度高达 6400Mb/s，较目前市场上旗舰版智能型手机的 12 GB LPDDR5 DRAM 芯片快上 16%。该公司也指出，配备 16 GB 存储器的智能型手机将可以每秒传送 51.2 GB 的数据，相当于 10 部高画质电影。
此外，最新的10纳米级 LPDDR5 DRAM 芯片也比先前的产品薄 30%，将有助于为配备多项零组件的产品，如高阶相机手机或 5G 手机，以及有厚度考量的产品，如可折叠式手机，提供最佳解决方案。
报导指出，在今年 2 月份，三星电子便已经开始使用第二代 10 纳米级工艺制程技术量产 16GB LPDDR5 DRAM。在短短六个月内，该公司更进一步加强了高阶行动 DRAM 产品组合，包括导入新一代芯片制程技术。
在 DRAM 领域中，南韩 SK 海力士排名全球第二，市占率仅次于三星电子。如今，SK 海力士也正积极研发将 EUV 技术应用于第四代 10 纳米级产品，并计划于 2021 年实现量产，与三星电子相比，SK 海力士大约落后了六个月到一年的时间。
【来源：CINNO】
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