英特爾在今年的CES上向大家展示了全新的5G凌動基站，採用了10nm工藝，同時正式命名為凌動Atom P5900，而現在關於凌動5G平台的下一個繼任者已經曝光，將會採用英特爾未來的7nm強化版工藝，自然在性能上也就更加出色了。
根據目前曝光的消息，英特爾下一代凌動5G平台代號為“Grand Ridge”，在工藝製程上採用了英特爾自家的7nm工藝，此外英特爾也特別説明了7nm工藝是自家的HLL+工藝，也就是説這款全新的凌動5G平台需要等2-3年才能出來了，畢竟英特爾已經官宣7nm正式跳票。
當然由於採用了英特爾最新的7nm製程工藝，因此全新的凌動平台在性能上也是十分出色，CPU架構基於新的Gracemont，最多集成24個核心，主頻最高2.6GHz，考慮到凌動平台原本的低功耗，那麼24顆核心可以説相當地給力了。
此外Grand Ridge也將支持DDR5內存，十萬兆網卡以及PCIe 4.0通道，同時還包括四個USB 3.0與USB 2.0接口，擴展性還是有一定的。不過目前看起來這份參數也來的比較早，對於大部分的消費者來説並沒有太多的參考價值，畢竟凌動平台也不會去購買和使用。