本文轉自【科技日報】；
日本東北大學、日本製鋼所公司和三菱化學公司合作，開發出了可量產直徑2英寸以上的氮化鎵單晶基板的低壓酸性氨熱（LPAAT）法。通過實現低壓晶體生長，能以相對較小的晶體生長爐量產大型晶體。利用LPAAT法在基於SCAAT法的氮化鎵籽晶上製作的2英寸長氮化鎵單晶基板，具有晶體鑲嵌性低（對稱面和非對稱面的X射線搖擺曲線半值寬度在28秒內）、基板幾乎沒有曲翹（曲率半徑約為1.5公里）的良好晶體結構特性。
利用LPAAT法制作的大口徑、低曲翹、高純度氮化鎵單晶基板如果能普及，可靠性優異的氮化鎵垂直功率晶體管就有望實現實用化。
(本欄目稿件來源：日本科學技術振興機構 整編：本報駐日本記者陳超)