【環球網 記者 陳超】“新基建”不同於傳統基礎設施的工程建設，更多是利用互聯網、物聯網技術，實現對生產要素的“重建”。“新基建”主要涉及“5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心、人工智能、工業互聯網”七大領域。
新基建帶來新機遇。8月12日，吉林華微電子在北京舉行了“新基建-芯片製造的新風口”華微電子京媒交流會上，華微電子產品總監楊壽國表示，無論是5G、大數據中心還是充電樁、互聯網，都離不開半導體芯片這個基礎性和先導性產業的支撐，所以身處這七大領域的公司迎來了絕佳的發展機遇。
“新基建”帶來新賽道
4月20日召開的國家發改委新聞發佈會上，國家發改委首次明確了“新基建”的範圍，包括信息基礎設施、融合基礎設施、創新基礎設施三個方面。
中國工程院院士、清華大學材料科學與工程系教授賙濟表示，“新基建”三個方面都與科技創新密切相關，具有鮮明的科技特徵和科技導向，尤其是將創新基礎設施明確列入範圍，更是凸顯了科技創新在“新基建”中的特殊使命和重要地位。“新基建為推動我國信息產業的源頭創新提供了難得的歷史機遇。”賙濟説。
無論是5G、大數據中心還是充電樁、互聯網，都離不開半導體芯片這個基礎性和先導性產業的支撐。針對功率半導體器件，在新基建中的機遇，楊壽國認為主要是三個方面。
一是功率半導體器件在新基建中不可或缺，功率半導體器件是電能轉換的核心，是“新基建”的“心臟” ；二是新基建的七大領域，給半導體芯片帶來了更加豐富的應用場景和更大的市場需求，同時再疊加上目前半導體產業結構的機遇，本土功率半導體器件需求將趨於旺盛；三是促進了芯片國產化進程，新的應用場景，同樣對芯片提出新的要求，需要更優質的芯片進行匹配，這就促進了國產芯片技術的進步和迭代，是我們在半導體行業最有希望能夠打破國外壟斷的突破口，率先實現彎道超車。
據悉，目前，華微電子擁有功率半導體器件4英寸晶圓生產線一條、5英寸生產線一條、6 英寸生產線一條、8 英寸生產線一條。 2019 年，華微電子生產功率半導體晶圓 400萬片。
作為松下、 日立、 海信、 創維、美的、長虹等國內外知名企業的配套供應商，華微電子一位負責人在會上表示：“半導體芯片作為‘新基建’領域的底層支撐，疊加半導體產業化的結構機遇，本土功率半導體芯片需求將趨於旺盛。”
產品覆蓋重點應用
本次京媒交流會上最大亮點，是華微電子向媒體着重介紹的新能源汽車上的核心器件——系列IGBT產品。正在研發的DSC雙面模塊，可大幅度縮小電機控制器的體積，提高新能源汽車的續航里程，這也是消費者最關心的痛點之一。
IGBT模塊是新能源汽車動力系統的核心器件，華微電子針對新能源汽車開發的系列IGBT產品，均採用先進的TRENCH+FS結構設計和超薄片工藝技術，目前650V和1200V系列IGBT模塊，最大電流800A，公司正在研發DSC雙面散熱模塊，此模塊同時集成了温度和電流傳感，能夠進一步降低新能源汽車控制器體積，降低整車損耗，提升整機效率，提高續航里程。
華微電子產品覆蓋了功率半導體所有分支。研發和銷售的產品包含 IGBT、功率 MOS、快恢復二極管、可控硅、 JFET 晶體管、功率集成電路等。經科技部、中科院等國家機構認證，華微電子被列為國家博士後科研工作站、國家創新型企業、國家企業技術中心、 CNAS 實驗室。 2001年 3月 16日，公司在上海證券交易所 A股主板上市(股票代碼為 600360)。
在本次京媒交流會上，華微電子還重點介紹了其產品在新基建領域的各種關鍵應用。
新能源汽車充電樁，我國新基建將大力發展新能源汽車，與之配套的新能源汽車充電樁需求不斷增加。華微電子在充電樁領域，三相維也納輸入整流（PFC）部分可以使用FRED和超結MOSFET，在LLC諧振電路可以使用超結MOSFET，在輸出輸出整流部分可以提供FRD和SiC SBD的解決方案。
服務器電源，是新基建中的大數據中心建設中不可或缺的重要支撐，數據中心服務器的電源和輸出整流部分，需要大量的超結MOS和中低MOS器件。華微電子的600~650V超結MOS導通電阻可以做到35毫歐，中低MOS電阻可以做到2毫歐，能夠高效率的電力轉換，數據中心建設提供有力支撐。
5G基站，5G網絡建設的基礎是5G基站的大規模建設，根據工信部數據顯示，2019年我國自正式啓動5G商用，全國開通的5G基站12.6萬個，預計2020年將建設超過60萬~80萬個5G基站， 5G通信電壓在PFC、DC/DC、同步整流、電池保護部分功率半導體器件不可或缺，華微電子可以提供超結MOSFET、中低壓MOSFET和SiC產品。
工業互聯網，是把人、數據和機器連接起來，是工業革命的第三次浪潮；華微電子致力於工業變頻應用的功率器件的製造與研發，為中國工業互聯網的發展提供堅實的中國製造基礎。能夠提供包括IGBT、IPM、PM模塊和MOSFET產品的解決方案。