3月22日消息，在近期的世界電氣電子學會(IEEE)國際可靠性研討會(IRPS)中， SK海力士代表理事社長李錫熙表示：在今後會改變內存的材質，並且還會進一步改善設計結構和可靠性。
根據SK海力士方面的説法，未來DRAM產品的製造工藝會逐步推進到10nm及以下工藝。
而在NAND產品上，SK海力士認為未來的NAND產品將堆疊到600層以上，並且實現元超過HDD（機械硬盤）的超大容量。並且根據其説法：“到2030年，將全世界所有數據中心的硬盤(HDD)更換為低功耗的SSD，可減少4100萬噸二氧化碳排放。”