中國半導體領域近日再度傳來好消息。據觀察者網6月22日援引國內巨頭紫光集團最新消息，總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地，其二期（土建）項目目前已在武漢東湖高新區開工，規劃每月生產20萬片存儲芯片產品，達產後與一期項目合計月產能將達30萬片。這也意味着，中國將在存儲芯片領域進一步降低對外依存度。
據悉，長江存儲國家存儲器基地項目分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，其中，項目一期目前已實現32層、64層存儲芯片產品的穩定量產。不只如此，在64層3D NAND閃存量產7個月後，長江存儲今年4月還宣佈新的研發進展——跳過96層，成功研製出業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。
有機構就預計，此舉將讓中國與美日韓芯片巨頭的技術差距縮小1到2年，實現彎道超車。另外，有業內人士還指出，基於長江存儲一期項目的突破，屆時其全球佔率將達到5%左右。
實際上，長江存儲的突破對我國相關行業也存在着巨大的利好。存儲器是信息系統的基礎核心芯片，也是中國進口金額最大的集成電路產品，但近些年，國際市場內存、固態硬盤、顯卡價格不斷上漲，原因在於存儲芯片掌握在少數國外廠家手中。
去年5月，有外媒就曾表示，長江存儲進入64層閃存市場的腳步已經勢不可擋，在其大規模生產之後，2020年全球64層3D NAND市場的競爭無疑將變得更加激烈，對於美日韓的芯片巨頭來説，其價格預計也將變得“難看”。換句話説，存儲芯片國產化將有利於降低國內半導體產品的成本、擺脱對外依賴，並進一步打破美日韓的壟斷。