集微網消息據中國科學技術大學官方消息，物理學院郭光燦院士團隊在延長硅基自旋量子比特壽命研究中取得重要進展。
該團隊固態量子計算研究組郭國平教授、李海歐研究員等人與中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心王桂磊副研究員、美國加州大學洛杉磯分校姜弘文教授和美國紐約州立大學布法羅分校胡學東教授，以及本源量子計算公司合作，在國際上首次發現了硅基自旋量子比特弛豫的強各向異性：通過改變外加磁場與硅片晶向的相對方向，可以將自旋量子比特壽命提高兩個數量級以上。
據悉，硅基自旋量子比特以其超長的量子退相干時間，以及與現代半導體工藝技術兼容的高可擴展性，成為量子計算研究的核心方向之一。
李海歐、郭國平等人通過製備高質量的Si MOS量子點，實現了自旋量子比特的單發讀出，並以此測量技術為基礎研究了外加磁場強度和方向對自旋量子比特弛豫速率的影響。
據悉，郭國平教授研究組長期致力於半導體量子芯片的研發，於2014年開始開展基於自旋量子比特的硅基半導體量子計算研究。
本源量子成立於2017年9月11日，是國內首家量子計算領域創業公司，其技術起源於中國科學技術大學中科院量子信息重點實驗室，專注量子計算全棧開發，研製各類量子芯片、量子測控、量子軟件產品，打造量子計算行業生態圈。（校對/Value）