IT之家6月22日消息 根據長江存儲官方的消息，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期（土建）於6月20日在武漢東湖高新區開工。
據介紹，長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠。項目一期於2016年底開工建設，進展順利，32層、64層存儲芯片產品已實現穩定量產，併成功研製出全球首款128層QLC三維閃存芯片。
在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現了技術水平從跟跑到並跑的跨越。
IT之家曾報道，4月份，長江存儲科技有限責任公司宣佈其128層QLC 3D NAND 閃存（型號： X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量，擁有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量。