SK海力士：未來DRAM會進入10nm以下工藝發佈於: 科技2021-03-22標籤: SK海力士理事社長數據中心二氧化碳 3月22日消息，在近期的世界電氣電子學會(IEEE)國際可靠性研討會(IRPS)中， SK海力士代表理事社長李錫熙表示：在今後會改變內存的材質，並且還會進一步改善設計結構和可靠性。 根據SK
