斯達半導定增募集35億元再加碼碳化硅賽道

　　新華社北京3月4日電（記者李靜）繼上次宣佈重磅投資不足3個月，國內IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）龍頭企業斯達半導再度加碼碳化硅功率芯片佈局。3月3日，斯達半導收跌5.03%，報237.6元。

　　3月2日晚間，斯達半導公告披露了2021年度非公開發行A股股票預案，公司擬非公開發行股票募集資金總額不超過35億元，不超過1600萬股。募集資金扣除相關發行費用後將用於投資高壓特色工藝功率芯片和SiC（碳化硅）芯片研發及產業化項目、功率半導體模塊生產線自動化改造項目和補充流動資金。

　　公告顯示，此次定增募集的35億元資金，有20億元將用於高壓特色工藝功率芯片和SiC研發及產業化項目。項目達產後，預計將形成年產36萬片功率半導體芯片的生產能力。斯達半導稱，該項目的成功實施，有助於公司豐富自身產品線，有效整合產業資源，鞏固並提高公司的市場地位和綜合競爭力。

　　這並不是斯達半導首次佈局碳化硅功率芯片。去年12月18日，斯達半導公告稱，公司擬投資22947萬元建設全碳化硅功率模組產業化項目，投資建設年產8萬顆車規級全碳化硅功率模組生產線和研發測試中心。

　　IHS數據顯示，2019年斯達半導在全球IGBT模塊市場排名第8，是唯一進入前10的中國企業。財報顯示，近年來公司IGBT模塊營收佔比均在98%以上，2016至2019年，公司分別實現營收3.01億元、4.38億元、6.75億元、7.79億元，年均複合增速37.30%，歸母淨利潤分別為0.21億元、0.53億元、0.97億元、1.35億元，年均複合增速85.94%。去年前三季度實現營收6.68億元，同比增長18.14%，歸母淨利潤1.34億元，同比增長29.44%。

　　公司近期多次加碼佈局碳化硅功率芯片，與當前蓬勃發展的新能源汽車市場不無關係。斯達半導稱，中國是全球最大的功率半導體市場，在“新基建”的產業環境下，5G、新能源汽車、數據中心、工業控制等諸多產業對功率半導體產生了巨大需求。碳化硅功率模組作為第三代半導體功率器件，其高温、高效和高頻特性是實現新能源汽車電機控制器功率密度和效率提升的關鍵要素。汽車級碳化硅功率模組的市場需求將在新能源汽車市場帶動下實現快速增長，市場空間巨大。

　　記者瞭解到，採埃孚、博世等多家零部件製造商以及特斯拉、比亞迪等車企早已宣佈在其部分產品中採用SiC　MOSFET方案。根據Yole數據，到2025年新能源汽車用SiC功率器件市場規模將達到15.5億美元，2019-2025年複合增速38%。國盛證券稱，車用SiC黃金十年即將開啓。華西證券指出，此次斯達半導通過此次定增項目有望突破IGBT、SiC模塊產能瓶頸，提升市佔率。

　　根據相關法律法規要求，申請非公開發行股票事項需披露公司最近五年被證券監管部門和交易所處罰或採取監管措施的情況。斯達半導稱，2019年7月5日，公司收到證監會警示函，證監會就公司申請首次公開發行股票並上市過程中，財務核算不規範、信息披露不準確等問題採取出具警示函的行政監督管理措施，公司已及時對有關事項進行糾正。（完）