【獵雲網北京】4月1日報道
獵雲網近日獲悉，毅達資本完成對滁州華瑞微電子科技有限公司（以下簡稱：華瑞微）的A輪投資。
華瑞微電子董事長劉海波表示，本次融資將主要用於第三代化合物半導體生產線項目。該項目已經順利落户安徽省滁州市南譙經濟開發區，也是南京市浦口區與滁州市南譙區簽署跨界一體化發展示範區合作框架協議後的首個項目。項目總投資10億元，主要承擔第三代化合物半導體器件的研發及產業化，建設SiC MOSFET生產線。
毅達資本項目負責人鍾曄表示，第三代化合物半導體器件主要應用於5G基站、新能源汽車、工業電源等高端領域，相信華瑞微第三代化合物半導體生產線項目的建成投產將助力國內高端功率器件持續健康發展。同時，該項目的順利實施，將對南京、滁州兩地的半導體產業發展產生深遠影響，推動兩地進一步補齊補強上下游產業鏈，增強產業核心競爭力，打造未來發展新優勢。
華瑞微是一家專注於功率器件研發設計、生產和銷售的高科技企業。創始團隊擁有在中國龍頭晶圓廠近20年的研發設計和生產管理經驗，曾參與建設3座晶圓廠，創辦過芯片設計公司。其他核心成員數十人，也均有十年以上的晶圓廠或功率器件設計公司的從業經驗。
作為一家科技創新類集成電路設計公司，華瑞微一直在自主設計、研發的道路上默默堅守，不斷提高自身的科技核心競爭力。公司通過了國家高新技術企業認定，獲得“江蘇省專精特新（創新類）小巨人企業”“江蘇省科技型民營企業”等一系列稱號，並且和知名高校共建了聯合實驗室及研究生實訓基地。
SiC是第三代半導體材料，與第一二代半導體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等性能優勢，特別適用於5G射頻器件和高電壓功率器件。體現在產品上面，就是尺寸降低，開關速度快，功耗相比於傳統功率器件大大降低。例如，在某些應用場景下，用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，並解決IGBT不能高頻工作的缺陷。
目前，華瑞微的產品正在從消費級功率器件向工業級、車規級功率器件邁進。超結MOSFET產品已經穩定向充電樁客户供貨，第三代SiC MOSFET已研發成功，小批量試產。
據劉海波介紹，我國雖然是全球最大的功率半導體需求市場，但高端功率器件產品仍然被美、日、歐廠商所主導。在市場需求、政策、資金和技術多因素催化下，功率半導體在可預見的將來有望成為國產替代進度最快的細分領域之一。