ETF基金日報(11月3日)丨芯片、半導體ETF領漲,機構:國產化有望再次加速

一、證券市場回顧

同花順數據顯示,昨日(11月03日,下同),上證綜指日內下跌0.19%,收於2997.81點,最高3003.72點;深證成指日內下跌0.34%,收於10840.06點,最高10877.74點;創業板指日內上漲0.01%,收於2376.06點,最高2385.06點。北向資金由上個交易日的流出75.82億元降低至流出45.65億元。

二、ETF市場表現

1、股票型ETF整體市場表現

昨日股票型ETF收益率中位數為-0.5%。其中按照不同分類,規模指數中匯添富中證滬港深張江自主創新50ETF收益率最高,為1.36%;行業指數中嘉實上證科創板新一代信息技術ETF收益率最高,為1.74%;策略指數中浦銀安盛中證高股息ETF收益率最高,為0.22%;風格指數中華夏中證智選1000成長創新策略ETF收益率最高,為0.69%;主題指數中嘉實上證科創板芯片ETF收益率最高,為4.09%。

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2、股票型ETF漲跌幅排行

昨日股票型ETF漲幅最高的3支ETF及其收益率分別為:嘉實上證科創板芯片ETF(4.09%)、華安上證科創板芯片ETF(3.91%)、國聯安半導體ETF(3.38%)。漲幅前10詳情見下表:

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昨日股票型ETF跌幅最大的3支ETF及其收益率分別為:國泰中證全指軟件ETF(-2.96%)、招商中證全指軟件ETF(-2.94%)、雲計算AH(-2.89%)。跌幅前10詳情見下表:

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3、股票型ETF資金流向

昨日股票型ETF資金流入最多的3支ETF及其流入金額分別為:華夏上證科創板50成份ETF(流入12.66億元)、易方達創業板ETF(流入5.6億元)、國泰CES半導體芯片行業ETF(流入3.57億元)。資金流入前10詳情見下表:

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昨日股票型ETF資金流出最多的3支ETF及其流入金額分別為:華泰柏瑞滬深300ETF(流出2.48億元)、華安上證180ETF(流出1.65億元)、華夏滬深300ETF(流出1.65億元)。資金流出前10詳情見下表:

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三、機構觀點

①關注國產化半導體材料 市場需求或將迅速增長

東海證券:關注半導體材料國產化進程。目前中低端領域的材料國產化進程效果明顯,國產化率逐年提升。目前高端領域包括拋光液、拋光墊、光刻膠、光掩膜版國產化率較低,未來市場空間廣闊。中低端領域的良率水平較國際各大廠商接近具備一定的競爭力。東海證券認為未來各新建晶圓廠產能陸續投入市場以及下游市場的強勁需求將拉動材料迅速增長。建議關注半導體材料及車用芯片龍頭企業。

②半導體產業鏈國產化有望再次加速 相關廠商迎機遇

天風證券:目前我國在半導體設備零部件、材料、設備領域已逐漸走出一批優秀的領軍企業,產品陸續通過國內產線。半導體產業鏈國產化有望再次加速,相關國產廠商有望迎來發展機遇,持續堅定看好半導體設備零部件及材料板塊。

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