近日，據企查查顯示，國產DRAM廠商長鑫存儲母公司——睿力集成發生股東變更，新增了19位股東。股東名單有云鋒基金、陽光保險、建信股權、TCL創投、人保資本、前海母基金、大灣區共同家園發展基金、深投控、水木投資、中郵保險、君和資本、東方資管、和諧健康、華登國際.....其中還同時出現了騰訊和阿里的身影。
完成本輪融資後，該公司的股東數量達到48位，新股東的持股比例均未披露。本次變更完成後，睿力集成的註冊資本增加至485.8億元人民幣。
過去兩年，長鑫存儲成為了最搶手的獨角獸之一，上一輪融資出現了220家機構排隊的盛況。曾有機構合夥人感嘆，這樣的項目能投進去就贏了。2021下半年，長鑫存儲完成C輪融資，估值上漲到至少數百億元。
據瞭解，DRAM憑藉體積小、價格低、集成度高、功耗低、讀寫速度快等特點，一直是適用於內存最好的介質。但在這一領域，長期由韓國三星 、韓國SK海力士、美國的美光三家國際企業壟斷市場。
方正證券指出，從集中度看，三星、海力士、美光三家企業的市佔率從2006年開始大幅度上升，集中度迅速提高，從2005年61.9%迅速提升到2018年95.5%，呈現“三足鼎立”之勢。
國泰君安也在研報中表示，2018年中國進口了超過900億美元的存儲芯片，這其中三星、SK海力士和美光三分天下，而國內廠商的份額為0。
2016年，長鑫存儲項目在安徽合肥啓動，項目由合肥市政府出資，早期由中芯國際前總裁兼CEO王寧國牽頭，後期交由兆易創新創始人朱一明負責。項目規劃投資1500億元，分為三期建設。2019年9月，長鑫的首款產品DDR4投產，此後進行良率優化、產能爬坡。2020年5月，搭載長鑫DDR4顆粒的內存條已經上市。
由於內存芯片項目耗資巨大，長鑫存儲一直面臨較大資金壓力。朱一明曾在2019年5月召開的GSA全球領袖峯會上披露，長鑫存儲已花費25億美元（約合177億元人民幣）用於研發和資本支出。彼時朱一明坦言，人才費用、設備折舊、研發投入持續成為長鑫存儲的壓力，“希望儘快投產，讓現金流滾動起來”。
為緩解資金壓力，據合肥產投官網，2019年8月，國開行牽頭給予長鑫存儲160億元銀團貸款。
2020年12月，國家集成電路產業投資基金二期、安徽省國資旗下三重一創產業發展基金各自向睿力集成投資50億元，老股東、合肥國資注資成立的長鑫集成投資8.5億元，小米長江產業基金在內的12家跟進投資人總共投資40億元，合肥集鑫企業管理合夥企業投資5億元，兆易創新則進行3億元可轉股債券投資，總融資價款達到156.50億元。此輪融資後，睿力集成的註冊資本也增至337.99億元，增幅高達78.83%。
2021年9月，睿力集成再次增資63.91億元，增幅為18.91%。本次增資後，睿力集成第一大股東石溪集電持股比例降至32.4554%，石溪集電的實控人是合肥國資。而長鑫存儲沒有單一股東持股比例超過50%，處於無實控人狀態。
存儲器是中國大陸進口量最大的集成電路種類之一，而DRAM又是存儲器細分產品中營收佔比最大的產品。目前，已經拿出產品的長鑫存儲正處在提升產能的關鍵時期。
從產能來看，長鑫存儲相較國際大廠仍有差距。長鑫存儲在2020年、2021年分別實現了每月4.5萬片晶圓、每月6萬片晶圓的目標，2022年的產能目標是每月12萬片晶圓。而據TrendForce的此前預測，2021年三星產能將超55.5萬片晶圓/月，SK海力士和美光將分別超過36萬片晶圓/月、35.5萬晶圓/月。
為了提升產能，長鑫存儲正計劃再建兩座晶圓廠。據此前媒體報道，2021年6月，長鑫存儲第二期12英寸晶圓廠舉行了奠基儀式，計劃分為三期建設三座晶圓廠，預計三期滿產後產能可達36萬片晶圓/月。
在芯片工藝方面，三星在2021年10月已宣佈量產14納米DRAM芯片。而長鑫存儲主要以19納米制程工藝來生產，計劃在2022年推出17納米工藝的DDR5 和LPDDR5芯片。
雖然跟全球150萬片DRAM 硅晶圓月產量相比，長鑫存儲的產能仍然較小，但對於還完全無法自制DRAM的中國大陸來説，卻是一大突破。
全球存儲芯片行業競爭格局聚焦全球集成電路市場，存儲芯片是市場份額最大的品類之一，2020年市場份額接近邏輯芯片。在某些年份內，存儲芯片的市場份額更是超過了邏輯芯片，足以説明其是集成電路市場上最有價值的品類之一。
根據華經情報網公佈的統計數據顯示，在2021年全球集成電路產品中，存儲芯片的市場規模增長最快，佔據整個集成電路市場規模的35%，成為集成電路領域中的第一大品類。不僅如此，全球存儲芯片的市場規模也在不斷攀升，據統計，預計到2023年，全球存儲芯片的市場規模將升到2196億美元，增幅高達21.7%。
根據前瞻產業研究院，目前，全球存儲芯片市場高度集中，代表企業包括韓國的三星、SK海力士；美國的美光、西部數據；日本的鎧俠等。我國企業中長江存儲、長鑫存儲分別在NAND Flash、DRAM市場中不斷髮力，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距；在NOR Flash全球市場中，我國企業兆易創新佔據前三，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味着兆易創新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發能力，扮演中國半導體存儲產業發展的重要角色。
從存儲芯片細分產品來看，DRAM和NAND Flash佔據了存儲芯片95%左右的市場份額，DRAM、NAND Flash和NOR Flash為存儲芯片三大主流產品。2020年，全球DRAM市場中三星、SK海力士、美光市場份額分別達到42.71%、29.27%、22.52%；NAND Flash經過幾十年的發展，已經形成了由三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩定市場格局；全球NOR Flash市場中華邦、旺宏、兆易創新排名前三，市佔率分別為25.4%、22.5%、15.6%。
從五力競爭模型角度分析，存儲芯片行業現有競爭者數量較少，行業集中度較高，企業紛紛加大存儲芯片新技術工藝的推進力度，行業現有競爭者競爭較為激烈；從上下游來看，由於存儲芯片行業被國際巨頭壟斷，存儲芯片對上游供應商和下游購買者的議價能力較高；從替代品威脅來看，由於行業產品特性和技術特徵，存儲芯片行業替代品威脅較小；從潛在進入者威脅來看，目前，對於潛在進入者而言，存儲芯片行業市場對手過於強大，受資金和技術限制，行業進入壁壘較高，因此存儲芯片行業潛在進入者的威脅不大。
中國廠商能否突圍？中國是世界最大的電子產品製造國，根據歷年來海關總署統計的半導體產業進出口數據，可以看到國內企業每一年花在存儲器採購上的資金，高達幾千億美元，並且在一直往上攀升。
由於沒有掌握相關核心技術，我國在DRAM的產品定價上一直受制於國際巨頭，手機、PC廠商經常遇到DRAM缺貨情況。而頭部廠商對DRAM市場的壟斷和價格操縱，使國內的企業深受其苦。
同時，在巨頭強力壟斷下，中國主流的存儲芯片企業大多規模較小，技術水平較國際巨頭仍有較大差距。
由於福建晉華在2018年遭到美光半導體的訴訟，因此陷於停擺狀態，這讓合肥長鑫成為了國產DRAM“全村的希望”。
長鑫以IDM模式生產DRAM產品，目前可量產19nm DDR4和LPDDR4產品，DDR5和LPDDR5技術正在研發中。雖然這個水平距離國際巨頭仍然差距很遠，但也是國產DRAM企業最頂尖的水平。
目前三星等DRAM巨頭的LPDDR5產品已經大量應用於智能手機市場，併成為現有智能手機的主打賣點之一；DDR5產品已經量產，但目前來説從性價比上尚未能大規模替代DDR4，這也是長鑫和國內DRAM企業為數不多的好消息。
與合肥長鑫存在千絲萬縷聯繫的兆易創新，在年內也宣佈，由長鑫代工的19nm 4Gb DDR4產品已經量產。在此之前，兆易創新主要代理銷售長鑫DRAM產品，未來自有品牌DRAM產品將成為主導。兆易創新預計，在2022年，代銷長鑫DRAM產品採購額為1.7億美元，穩定增長；而自有品牌採購長鑫代工的關聯交易將達到1.35億美元。
除長鑫和兆易創新，西安紫光國芯也能夠量產DDR4產品。此外，在科創板IPO的東芯半導體能夠量產DDR3產品，北京君正在收購北京矽成（即美國芯成半導體母公司）之後，也有DRAM產品業務。
然而，對於起步較晚的中國廠商而言，想要獲得一席之地，必須具備抗衡國際巨頭的實力。無論是技術層面，還是產能層面，中國企業都或將面臨極其巨大的挑戰。