首日上漲202% 募資額創A股十年之最中芯國際榮登科創板市值榜首

7月16日,萬眾矚目的中芯國際正式登陸科創板。截至收盤,中芯國際股價報收於82.92元/股,漲幅202%,總市值達5918億元,成功榮登科創板企業市值榜首。

中芯國際首日開盤價報95元,較發行價上漲246%,開盤後五分鐘內,成交金額達144億元,半小時吸金超262億元,早市成交額突破383億元,全天交易額突破479.67億元。

在上市儀式上,中芯國際董事長周子學博士表示:“此次以紅籌架構迴歸A股科創板,充分體現了境內資本市場對科技創新型企業的包容,體現了科創板對關鍵核心技術創新的支持和對實體經濟發展的支撐。上市後,中芯國際將進一步藉助境內資本市場的力量,加速創新和發展,為更多的海內外客户提供更加優質的產品和服務,推動公司不斷成長,併為集成電路產業的發展做出積極貢獻。我們將兢兢業業,埋頭苦幹,以持續的創新和發展回報廣大投資者的信任。”

中芯國際或成市場風向標

中芯國際股價一路上漲的同時,相關市場並未能夠“共榮”。

國信證券研報指出“中芯國際比貴州茅台更珍貴”。國信證券認為,從可替代性來講,中芯國際與貴州茅台一樣不可替代、無法複製。同時,因為稀缺性導致中芯國際具有和貴州茅台同樣的議價能力。從社會必要勞動時間的角度看,中芯國際的價值量超越貴州茅台。800年前就有茅台了,而我們奮鬥到今天才有中芯國際的14nm先進製程。

國信證券證券分析師何立中認為:“由於AH投資人趨同,AH股價也會趨同,港股股價將會向科創板股價看齊。”

不過從當天中芯國際港股的表現看,上述趨勢尚未成立。繼7月15日中芯國際港股股價跌近8%後,7月16日,中芯國際股價繼續跳水,早間一度跌超25%,截至收盤,其股價為28.75港元,跌幅達到25.23%。

就兩地相反的股價走勢,香頌資本執行董事沈萌接受《證券日報》記者採訪時表示:“中芯國際是A股以及科創板的指標股,從申請、註冊再到掛牌都創造了新的紀錄,因此全市場對中芯國際都報以最大的期望和支持,而在港股市場,其估值受到國際市場集成電路同業指標的約束。”

沈萌表示,中芯國際這樣的明星股並未維持常規的溢價區間。如果按照通常水平,則會帶來A股價格受到抑制或者港股走高遭做空的異常表現。

除此之外,中芯國際的概念股也紛紛下跌。Wind顯示,早盤收市後,中芯國際概念指數跌幅達到5.22%,其中,長電科技、兆易創新、滬硅產業、至純科技等個股出現不同程度地下跌,大唐電信和中環股份盤中曾一度跌停。

美通資本董事長陳紅兵接受《證券日報》記者採訪時表示:“半導體板塊已經提前2天開始了回撤,中芯國際上市後會成為市場的風向標,短期內,如果中芯國際(股價)繼續保持上行趨勢,那麼科技股有機會繼續向上。”

超500億元募資劍指14nm

發行公告顯示,超額配售選擇權行使前,中芯國際募集資金總額為462.87億元;全額行使超額配售選擇權後,公司募集資金總額為532.3億元,刷新科創板IPO募資額歷史。

此外,Wind顯示,按532.3億元的募資額計算,中芯國際募資額目前在A股IPO募資史上排名前五,高於2019年12月份上市的郵儲銀行和2020年1月份上市的京滬高鐵,成為A股10年以來募資最大規模的IPO。

產業時評人張書樂在接受《證券日報》記者採訪時表示:“中芯國際這種超高募資額本身就表現出了市場的期待,也是企業自身規劃藍圖規模的體現。而且,其產業前景本身帶有‘解鎖’的意味,與半導體有關的高科技產業也急需有此類企業強勢崛起。這不僅僅是資本看好的問題,也是國內產業自身發展迫切需要的存在。”

據悉,中芯國際擬將募集資金的40%用於12英寸芯片SN1項目,20%用於公司先進及成熟工藝研發項目的儲備資金,以及40%將用作補充流動資金。其中的12英寸芯片SN1項目指的是此前耗資建設的兩大晶圓廠之一的中芯南方,此晶圓廠系公司14納米及未來先進工藝的主要生產地。

中芯國際為國內晶圓製造龍頭廠商,市佔率全球第四,國內第一。2019年14nmFinFET正式量產,先進製程節點帶動國內半導體產業鏈同步崛起。2019年下半年以來,中芯國際在28nm以上成熟製程維持較高景氣度,產能利用率得到持續提升,銷售毛利率2019年觸底反彈。2020年第一季度,中芯國際收入為64.01億元,同比增長38.42%。晶圓出貨量摺合成8英寸為140.67萬片,同比增長29%;銷售毛利率回升至25.81%,預計隨着14nm先進製程的放量,銷售毛利率將持續上行。一季度的扣非後淨利潤為1.42億元,相比2019年同期-3.29億元,實現盈利。公司預計,2020年第二季度收入環比增長3%-5%,收入區間為65.93億元~67.21億元,同比增長21%~23%,持續高增長。

中芯國際聯席CEO梁孟松曾表示,公司的N+1(第二代FinFET)目前研發進程穩定,已進入客户導入及產品認證階段,預計2020年第四季度可以有小量產出。公司預計,第二代FinFET技術有望在性能上提高約20%,功耗降低約60%。

來源:證券日報

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