獲國家大基金加持 碳化硅晶片供應商天科合達闖關科創板

　　7月14日，上交所正式受理了北京天科合達半導體股份有限公司(簡稱“天科合達”)科創板上市申請。據招股書顯示，天科合達是國內領先的第三代半導體材料——碳化硅晶片生產商。天科合達表示，隨着碳化硅器件及其下游市場呈現爆發性增長，國內的碳化硅襯底材料供應已無法滿足下游市場的需求，公司在現有產能的基礎上，擬對主營業務碳化硅襯底材料進行擴產。本次闖關科創板，天科合達擬募集資金5億元投建碳化硅襯底產業化基地建設項目。

　　專注碳化硅領域

　　招股書顯示，天科合達是國內領先的第三代半導體材料——碳化硅晶片生產商。公司主要從事碳化硅領域相關產品研發、生產和銷售，主要產品包括碳化硅晶片、其他碳化硅產品和碳化硅單晶生長爐，其中碳化硅晶片是公司核心產品。

　　據介紹，以碳化硅為代表的第三代半導體材料是繼硅材料之後最有前景的半導體材料之一，與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯底製造的半導體器件具備高功率、耐高壓、耐高温、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用於新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等現代工業領域。第三代半導體行業是我國“新基建”戰略的重要組成部分，並有望引發科技變革並重塑國際半導體產業格局。

　　據瞭解，碳化硅襯底作為第三代半導體產業的基礎材料，具有較高的應用前景和產業價值，在我國半導體產業發展中具有重要的戰略地位。長期以來，碳化硅襯底的核心技術和市場基本被歐美髮達國家壟斷，並且產品尺寸越大、技術參數水平越高，其技術優勢越明顯。

　　天科合達自2006年成立以來，一直專注於碳化硅晶體生長和晶片生產領域，先後研製出2英寸、3英寸、4英寸碳化硅襯底，於2014年在國內首次研製出6英寸碳化硅晶片，並已形成規模化生產能力，工藝技術水平處於國內領先地位。

　　根據YoleDevelopment統計，2018年天科合達導電型晶片的全球市場佔有率為1.7%，排名全球第六、國內第一。

　　天科合達曾於2017年4月10日正式在全國股轉系統掛牌公開轉讓，並於2019年8月12日終止在全國股轉系統掛牌轉讓。根據招股書，新疆生產建設兵團第八師國資委為天科合達的實際控制人。第八師國資委直接持有天富集團77.03%的股權，並通過持有石河子國有資產公司93.56%股權間接控制天富集團22.97%的股權，為天富集團的控股股東，第八師國資委通過天富集團控制發行人24.15%股份。此外，中科院物理所、國家大基金、哈勃投資等均為天科合達的股東之一。

　　未分配利潤為負

　　財務數據顯示，2017年至2019以及2020年1-3月(簡稱“報告期內”)，天科合達分別實現營業收入2406.61萬元、7813.06萬元、15516.16萬元和3222.93萬元，歸屬於母公司所有者的淨利潤分別為-2034.98萬元、194.40萬元、3004.32萬元和439.77萬元，扣除非經常性損益後歸屬於母公司所有者的淨利潤分別為-2572.06萬元、-420.11萬元、1219.21萬元和151.03萬元。

　　值得一提的是，截至報告期末，公司合併報表未分配利潤為-1522.49萬元。2017年以前，由於公司持續研發投入，以及受碳化硅半導體材料工業化應用進程較慢影響，公司持續虧損，累計未彌補虧損規模較大。2018年以來，隨着公司產品生產工藝的成熟和下游需求的增加，公司收入規模快速增長，並實現持續盈利，累計未彌補虧損規模持續減小，但截至報告期末，合併財務報表的未分配利潤仍然為負。對此，公司提示風險，如果公司無法完全彌補以前年度的累計虧損，將存在短期內無法向股東進行利潤分配的風險。

　　報告期內公司研發投入分別為1488.35萬元、1262.00萬元、2919.28萬元和568.27萬元，佔同期營業收入的比例分別為61.84%、16.15%、18.81%和17.63%，其中2017年由於公司營收規模較低，因此研發投入佔比較高。

　　截至報告期末，天科合達擁有已獲授權的專利34項，其中已獲授權發明專利33項(含6項國際發明專利)。

　　天科合達表示，報告期內，隨着新能源汽車、5G通訊等下游應用場景的逐步成熟，市場對碳化硅晶片及相關產品的需求快速增長。公司根據市場需求情況不斷擴大碳化硅晶體和晶片產能，並設立瀋陽分公司專業從事碳化硅單晶生長爐業務，產品供給能力不斷提升。報告期內，公司業務快速發展，盈利能力持續增強。

　　募資加碼主營業務

　　招股書顯示，天科合達擬公開發行不超過6128萬股人民幣普通股，募集資金擬投資第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目，項目投資總額為95706萬元，其中以募集資金投入的金額為5億元。

　　天科合達表示，隨着碳化硅器件及其下游市場呈現爆發性增長，國內的碳化硅襯底材料供應已無法滿足下游市場的需求，公司在現有產能的基礎上，擬對主營業務碳化硅襯底材料進行擴產。本次募集資金投資項目第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目主要建設一個包括晶體生長、晶片加工和清洗檢測等全生產環節的生產基地。項目投產後年產12萬片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸導電型碳化硅晶片約為8.2萬片，6英寸半絕緣型碳化硅晶片約為3.8萬片。

　　關於未來的發展戰略，天科合達表示，公司自設立以來專注於第三代半導體碳化硅材料的技術研究、開發與生產。目前，我國碳化硅市場仍處於新興起步階段，國家將第三代半導體材料的研發與生產定位於重點支持行業，公司的發展戰略定位將繼續聚焦於碳化硅材料的研發及生產，一方面緊跟國際第三代半導體行業發展趨勢，通過自主研發持續提升公司技術實力，不斷突破碳化硅晶片技術瓶頸，提升碳化硅半導體材料國產化率，推動我國碳化硅行業發展；另一方面抓住我國半導體功率器件和5G通訊行業發展的機遇，持續投入資金和人力資源，擴大碳化硅晶片生產能力，通過人才引進和加強內部管理，不斷提升產業化運營能力，進一步鞏固公司核心競爭力，提高公司產品在國內外的市場佔有率，成為全球第三代半導體材料龍頭企業。