中芯國際宣佈科創板上市發行價格為每股 27.46 元,本次發行預估可募集超過 500 億元,這將是科創板史上、A 股近十年來最大規模的 IPO 計劃; 外媒華爾街日報更指出,這可能將成為 2020 年全球最大的股票發行交易案。
值得注意的是,這次共有 29 家重量級的戰略配售對象,合計投資金額達 242.61 億元; 其中,國家集成電路產業投資基金二期獲配金額 35.175 億元,是這次的最大投資者。
其次,新加坡政府投資 33.165 億元、青島聚源芯星股權投資 22.24 億元,以及聯席保薦機構相關子公司海通創投、中金財富獲配股數均為 3371.24 萬股。
除了直接戰略配售的這 29 家機構和企業之外,還有多家半導體企業間接投資,涵蓋設備、原材料供應商,以及芯片設計客户等,共計有韋爾、匯頂、至純、聚辰、中微半導體、滬硅產業子公司上海新升、江豐電子、全志、上海新陽、瀾起投資、安集微電子等,通過參與投資青島聚源芯星股權投資合夥企業,間接參與中芯在科創板的戰略配售計劃。
其中,安集微電子是 CMP 拋光液和光刻膠去除劑供應商; 至純為半導體濕法清洗設備; 中微半導體為刻蝕設備大廠; 上海新升為硅晶圓供應商; 江豐電子為濺射靶材供應商,都是中芯國際的主要國產設備與材料供應商。
另外,全志、瀾起、韋爾、匯頂等也都是國內在各領域重要的芯片設計公司。
根據公告,中芯國際這次預計使用募集資金為 200 億元。按本次發行價格每股 27.46 元計算,超額配售選擇權行使前,預計發行人募集資金總額為 462.87 億元,扣除發行費用 6.34 億元(含税),預計募集資金淨額為 456.52 億元;若超額配售選擇權全額行使,預計發行人募集資金總額為 532.30 億元,扣除發行費用 7.26 億元(含税),預計募集資金淨額為 525.03 億元。
針對本次募集資金的具體安排如下,中芯國際董事長周子學在 6 日的投資人交流會中指出:
12 寸芯片 SN1 項目:
12 寸芯片 SN1 項目的載體為中芯南方,該項目規劃月產能 3.5 萬片,已建設月產能 6,000 片,是中國大陸第一條 FinFET 工藝生產線; 同時也是中芯國際 14nm 及以下先進工藝研發和量產的主要承載平台。
先進及成熟工藝研發項目儲備資金:
計劃用於 14 納米及以下的先進工藝與 28nm 及以上的成熟工藝技術研發。其中,14nm 是中國大陸已量產、最先進的晶圓代工技術工藝; 而 14nm 以下工藝,目前尚處於研發階段。
針對 28nm 及以上的成熟工藝研發,主要用於滿足市場的成熟工藝產品需求。公司擬通過募集資金,使用在推動先進工藝產能建設,並實現工藝技術水平的提升,進一步培養行業內的研發人才。
根據 IHS Markit 統計,2019 年 28nm 在晶圓代工市場規模約 69 億美元,預計 2024 年全球市場規模將達到 98 億美元,2019 年~2024 年的增長率將達 7.27%,主要應用是在射頻,處理器,高壓驅動等領域。
在 6 日的中芯國際投資人交流會中,周子學也接招許多來自投資人關心的 “辛辣” 提問。
有投資人提到,中芯日前才公告向美國應用材料及 LAM Research 以 5 億和 6 億美元採購設備及材料,是否有受到美國政府的限制,而影響設備到廠時程?周子學則是指出,這兩筆訂單履行的情況正常。
另外,中芯國際持續衝鋒高端工藝技術,但始終無法拿到光刻機大廠 ASML 的極紫外光 EUV 機台,這是否會影響高端技術的研發進度,也是外界關注的議題。
中芯在投資人説明會中已經多次澄清,往下研發的 N+1 工藝和 N+2 工藝不會用到 EUV 技術,預計會等到機台就緒後,才會將 N+2 工藝轉到 EUV 技術。周子學 6 日也再度説明,公司目前量產和主要在研項目,都暫時不需用到 EUV 光刻機。
周子學進一步指出,根據 IC Insights 公佈的 2018 年全球純晶圓代工廠排名,中芯國際排名全球第四名。公司第一代的 14 納米 FinFET 技術也取得了突破性進展,於 2019 年第四季度進入量產,同時第二代 FinFET 技術進入客户導入階段。未來 FinFET 技術主要是應用於 5G、高性能計算、人工智能、物聯網及汽車電子等新興領域。
中芯國際首席財務官高永崗也説明行業狀況。他分析,根據中國半導體行業協會統計,國內集成電路產業銷售額由 2012 年的 2,159 億元增長至 2018 年的 6,532 億元,年均複合增長率達 20.26%。
在需求方面,高速發展的領域有網絡通信、消費電子、計算機等,都是構成國內集成電路行業下游應用領域的主要部分。另外,5G 通信、物聯網、AI 等新技術的持續落地,都成為集成電路行業創造廣闊的市場機會的養分。
另外,中芯國際也指出,除了是中國大陸第一家提供 14nm 技術節點的企業,在成熟邏輯工藝領域,也提供 0.18/0.15 微米、0.13/0.11 微米、90nm、65/55nm、40/45nm 工藝技術,相關芯片已被廣泛應用於處理器、移動基帶、無線互聯芯片、數字電視、機頂盒、智能卡、消費性產品等諸多領域。
在特色工藝技術平台方面,中芯也成功開發了電源 / 模擬、高壓驅動、嵌入式非揮發性存儲、非易失性存儲、混合信號 / 射頻、圖像傳感器等多種特色工藝平台,均已達到了行業先進的技術水平。
針對集成電路行業當前面臨的諸多挑戰,周子學歸納三大分析如下:
第一,與國際頂尖技術水平仍有一定差距
中國大陸集成電路企業在頂尖技術積累與業界龍頭企業存在一定差距。儘管政府和企業愈發重視對研發投入,但技術發展水平、人才培養等方面的滯後性,以及企業資金實力不足等諸多原因,中國大陸集成電路產業的研發力量薄弱、自主創新能力不足的狀況依然存在。
第二,高端專業技術人才不足
集成電路屬於技術和人才密集型行業。中國大陸因產業發展起步晚,導致經驗豐富的集成電路高端人才稀缺,已成為當前制約行業發展的主要因素。
第三,資金實力不足
集成電路晶圓代工行業從前期設備的投入、工藝研發到人才梯隊的培養,都需要大量的資金投入。對於動輒數十億甚至上百億美元生產線的投入,大多數企業的資金實力無法滿足大規模擴產的需求。