近日，西部數據宣佈，與合作伙伴鎧俠聯合研發的第六代162層3D閃存技術正式發佈，這也意味着3D閃存技術取得了進一步突破。
據悉，第六代3D閃存技術採用超越傳統八層交錯式存儲孔陣列的架構，其橫向單元陣列密度比第五代技術提高了約10%。與112層堆疊技術相比，這種橫向擴展技術上的提升，結合162層堆疊式垂直存儲器，能夠使晶圓尺寸減小約40%，從而優化成本。
西部數據與鎧俠團隊還採用了陣列CMOS電路佈局和四路同時操作，與上一代產品相比，程序性能可提高近2.4倍，讀取延遲減少約10%，I/O性能也提高約66%，使得下一代接口能夠滿足不斷增長的對更高傳輸速率的需求。
總體而言，與上一代產品相比，新的3D閃存技術降低了單位成本，並使每個晶圓的製造位增加了高達70%。
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