在半導體領域，日本其實一直有着不錯的實力，在中國台灣和韓國之前日本在半導體行業也是佔據着主要地位，但是隨後卻是被美國收割了大半，最終只能在原材料方面苟延殘喘。不過，日本的半導體工業底藴還是在的，近日日本工業技術研究院（AIST）和中國台灣半導體研究中心（TSRI）的聯合研究小組就宣佈了用於2nm工藝的Si/ Ge/ Ge層壓材料，並且已經開發出了一種異質互補場效應晶體管。
簡單來説，該研究小組已經成功在2nm工藝上取得了突破，比三星還有台積電的進度都更快。作為達到1nm這個硅基材料的最終終點前的最後一站，2nm工藝所面臨的難度要高於3nm工藝，所以這次工藝的突破也算是半導體行業的又一里程碑，至少對於日本的半導體行業來説，這意味着他們又一次站在了行業的前列。
不過，雖然取得了突破，但是距離商用生產還有很長的一段路要走，而且目前主要半導體代工廠商都將精力放在了3nm的突破和公關上，對於2nm的關注度其實並不高，目前來看，可能在2-3年內都不太可能看到2nm工藝的出現。另外，該研究小組似乎有意對該技術進行轉讓，對於台積電和三星來説也許會是一個不小的誘惑。