首爾2020年7月2日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com/cha/main.do）宣佈開始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣佈完成HBM2E開發僅十個月之後的成果。
圖1. SK海力士宣佈開始量產超高速DRAM, HBM2E
SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當於能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E藉助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
HBM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性，是適合深度學習加速器（deep learning accelerator）、高性能計算機等需要高度計算能力的新一代人工智能（AI）系統的存儲器解決方案。與此同時，HBM2E將適用於在未來主導氣候變化、生物醫學、宇宙探索等下一代基礎、應用科學領域研究的Exascale 超級計算機（能夠在一秒內執行一百億億次計算的計算機）。
圖2. SK海力士成員慶祝HBM2E量產
吳鍾勳SK海力士副社長兼首席營銷官（Chief Marketing Officer, CMO）表示：“SK海力士通過開發世界第一款HBM（High Bandwidth Memory）等成果一直引領着有助於人類文明發展的新一代技術革新。公司將通過本次HBM2E量產強化高端存儲器市場上的地位，並倡導第四次工業革命。”
註解
- HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）
-相較傳統DRAM，藉助TSV技術飛躍性地提升數據處理速度的高性能、高帶寬存儲器產品 - TSV（Through Silicon Via，硅通孔技術）
- 在DRAM芯片打上數千個細微孔並通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術
- 該技術在緩衝芯片（buffer chip）上將數個DRAM芯片堆疊起來，並通過貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號、指令、電流。
- 相較傳統封裝方式，該技術能夠縮減30%體積，並降低50%能耗。 - 數據處理速度換算規則
- 1GB = 8Gb
- 以每個pin 3.6Gbps的速度通過1,024個數據I/Os進行運算 = 3686.4Gbps
- 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB換算)
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