根據韓媒報道，三星在下一代閃存芯片的開發中取得重大進展，第七代V NAND閃存芯片將達到176層，並將於明年4月實現量產。這將是業界首個高於160層的高級別的NAND閃存芯片，三星將因此再次拉開與競爭對手的技術差距，維持自2002年以來一直在全球NAND閃存市場中排名第一的地位。
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相比於上一代閃存，第七代閃存在堆棧上取得明顯的進步。三星的第六代NAND閃存是128層，於今年6月開始量產，而第七代閃存將達到176層，儘管並沒有達到其最初計劃的192層，但依然有着明顯的進步。
據悉，第七代NAND閃存採用了“雙堆棧”技術，這是一種可以將通孔分成兩部分的，以便電流通過電路的方法。過去的單堆棧只能有一部分通孔，隨着堆棧層數的增多，工藝也隨之改進。
今年6月，三星宣佈將投資約9萬億韓元在位於韓國京畿道平澤工廠的2號線建設新的NAND閃存芯片生產設施，以擴大NAND閃存的生產線，並預計該設施將於2021年下半年投入運營。三星表示，將在新地點大規模生產尖端NAND存儲芯片，可能比原計劃更早開始量產第七代NAND閃存芯片。
與ARAM相比，NAND閃存是更具代表性的存儲芯片，且其存儲容量隨着堆棧數的鄭家而增加，因此堆棧的層數也被視為NAND閃存的核心競爭力。
三星一直通過減少集成電路的線寬來提高存儲芯片的性能和容量，引領高級NAND閃存的開發。
自2006年以來，三星一直研究3D NAND閃存。在存儲芯片的發展過程中，隨着存儲數據的單元變小，當線寬小於10nm時，便容易受到單元同單元之間的干擾，而3D NAND閃存能夠垂直放置在平面中排列的單元，以減少單元間的干擾。這是一種通過像公寓一樣垂直堆疊現有平面結構NAND來增加存儲容量的方法，在業界被稱之為3D NAND閃存，被三星獨立命名為V NAND。
2013年，三星成功量產了世界上第一個三維單元結構的V NAND閃存，從而改變了技術範式。當時許多人對V NAND閃存的商業化表示懷疑，不過現在所有的存儲芯片公司都在展開激烈的3D NAND閃存競爭。長江存儲的128層3D NAND閃存已於今年宣佈量產，英特爾也有今年發佈了144層3D NAND閃存，SK海力士目前處於176 4D NAND研究階段，此外還有西部數據（Western Digital）和鎧俠（Kioxia）等公司也在競爭之列。
在第一代（24層）V NAND閃存商業化之後，三星持續增加堆棧層，目前已經發展到第二代（32層）、第三代（48層）、第四代（64/72層）、第五代（92/96層）和第六代（128層）。通常更新一代，需要1到2年時間。
三星於去年8月完成128層V NAND閃存的開發，並實現量產。當時，三星宣佈已經向全球PC公司提供了基於第六代NAND閃存的企業PC固態驅動器（SSD）。
在NAND閃存市場上，三星一直業界領先。去年，三星以165.17億美元的銷售額佔據全球市場的35.9%，在NAND閃存市場中排名第一，持續自2002年以來的領先地位。
本文編譯自：http://www.thebell.co.kr/free/content/ArticleView.asp?key=202009071240410200102827&lcode;=00
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