芯片製造核心設備研製成功,打破外國壟斷,年底下線

國產芯片在製造方面,存在嚴重短板,集中所反映出來的問題就是在先進製程工藝方面,和世界先進水平存在巨大差距。

芯片製造核心設備研製成功,打破外國壟斷,年底下線

離子注入機

除此之外,很多人所關注的是主要是在光刻機方面,尤其是在EUV光刻機方面,我們被西方國家卡了脖子!集成電路產業,作為一個技術高度密集的產業,還有很多環節,我們都存在着嚴重依賴進口的情況,其中,對高能離子注入機就是其中之一。

芯片製造核心設備研製成功,打破外國壟斷,年底下線

離子注入機

為了能夠將高能離子注入機實現國產化,中國電子科技集團下屬的電科裝備早在數年前就已經開始科研攻關,經過我們的科研人員多年的努力奮鬥,現在好消息來了。

芯片製造核心設備研製成功,打破外國壟斷,年底下線

離子注入機

近日,電科裝備離子注入機總監張叢介紹稱,現在電科裝備自主研製的高能離子注入機已經成功實現了百萬電子伏特高能離子加速,優異的性能標準已經達到國際先進水平,意味着我們有了自己的高能離子注入機,打破了國外廠商在該領域的壟斷。

芯片製造核心設備研製成功,打破外國壟斷,年底下線

離子注入機

按照電科裝備的計劃,首台設備將於今年年底前正式下線。這台擁有自主知識產權的高能離子注入機將為國產芯片的製造帶來重要的推動意義,讓我國芯片的國產化製造更近了一步!

要想將我們的芯片產業做大做強,高能離子注入機、光刻機等環節,都要努力發展起來,國產芯片產業發展任重而道遠,吾輩當需繼續努力。

芯片製造核心設備研製成功,打破外國壟斷,年底下線

離子注入機

版權聲明:本文源自 網絡, 於,由 楠木軒 整理發佈,共 538 字。

轉載請註明: 芯片製造核心設備研製成功,打破外國壟斷,年底下線 - 楠木軒