近日，在第八屆中國電子信息博覽會上，長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展台上正式亮相展出。
Source：長江存儲
今年4月13日，長江存儲宣佈其128層QLC 3D NAND閃存研發成功，這也是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存。據瞭解，該款3D NAND閃存還創下了三個“最”：業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。
據武漢自貿區此前報道，目前，該閃存已通過多家知名控制器企業在固態硬盤等終端存儲產品上的驗證。
2018年底，長江存儲第一代32層三維閃存芯片量產。2019年9月，首次基於Xtacking架構的64層三維閃存芯片量產。從64層量產至128層研發成功，僅相隔7個月。隨着自主Xtacking架構全面升級至2.0，進一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。
今年以來，長江存儲消息不斷，不僅宣佈成功研發128層閃存產品；《科創板日報》此前還報道稱，從供應鏈獲悉，長江存儲64層固態硬盤預計將於今年三季度上市，同時，二期廠房建設項目也已於今年6月20日開始動工，規劃產能20萬片/月。
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【來源：八戒會飛啊】
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