三星秀3D封裝技術，可用於7納米制程

三星電子成功研發3D芯片封裝技術“X-Cube”，宣稱此種垂直堆棧的封裝方法，可用於7納米制程，能提高芯片代工能力，要藉此和業界領袖台積電一較高下。

三星官網13日新聞稿稱，三星3D IC封裝技術X-Cube，採用硅穿孔科技（through-silicon Via，TSV），能讓速度和能源效率大躍進，以協助解決次世代應用程序嚴苛的表現需求，如5G、人工智能（AI）、高性能計算、行動和穿戴設備等。

三星芯片代工市場策略的資深副總Moonsoo Kang説：“三星的新3D集成技術，確保TSV在先進的極紫外光（EUV）製程節點時，也能穩定聯通”。有了X-Cube，IC設計師打造符合自身需求的定製化解決方案時，將有更多彈性。X-Cube的測試芯片，以7納米制程為基礎，使用TSV技術在邏輯晶粒（logic die）堆棧SRAM，可釋放更多空間、塞入更多內存。

有了3D集成方案，晶粒間的信號傳輸路徑將大為縮短，可加快數據發送速度和能源效率。三星宣稱，X-Cube可用於7納米和5納米制程。

韓國時報13日報道，封裝是芯片生產的重要環節，過去幾年來，三星強化封裝技術，超薄封裝能縮短集成電路的信號傳輸路徑，加快傳遞速度、提升能源效率。三星將在16~18日的Hot Chips峯會，公佈更多X-Cube的細節。

【來源：十輪網】

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