長江存儲128層閃存年底將量,與三星技術差距縮小到1年

6月20日,紫光集團發佈消息,由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期(土建)在武漢東湖高新區開工,規劃產能20萬片/月,達產後與一期項目合計月產能將達30萬片。

行業龍頭三星近期宣佈將在韓國平澤工廠擴產NAND閃存芯片,同時三星在西安的閃存項目也在持續擴大投資,計劃建成全球規模最大閃存芯片製造基地。目前全球閃存市場高度被少數幾家國外廠商壟斷,2020年一季度,三星、鎧俠(東芝)、西部數據、美光、海力士、英特爾等在全球閃存市場合計佔有率超99%。

長江存儲128層閃存年底將量,與三星技術差距縮小到1年

數據來源:TrendForce

長江存儲自2016年一期項目開工建設以來,在技術上開發了全新的3D NAND閃存芯片Xtacking架構,我在2017年還特意分析過長江當時的2D技術與三星的差距巨大,沒想到四年間長江在閃存工藝技術上實現了三級跳。

長江存儲128層閃存年底將量,與三星技術差距縮小到1年

長江存儲Xtacking創新架構

(參考本人之前的跟蹤評論:

《紫光閃存量產在即,紫光為什麼還不敢像網友説的那樣正面挑戰三星》

《即將實現的小目標:國產32層3DNAND閃存芯片四季度將量產》

《國產64層3D NAND閃存量產。立馬有人問哪裏生產的?》)

實際上長江存儲是在2018年成功開發了32層3D閃存技術,當時的突破一舉將我國閃存生產技術與國外差距縮小到3-4年;2019年實現64層技術量產,與國外差距進一步縮小至2年;今年4月,長江存儲128層QLC 3D閃存研製成功,若128層年底實現量產,則與三星、海力士、美光等國外廠商技術差距縮小至1年。相信不久的將來,中國的閃存技術將與世界領先水平保持一致。

二期項目計劃128層NAND閃存今年年底到明年上半年將陸續量產,如果今年年底能夠實現10萬片月產能,考慮三星等國外廠商擴產,長江存儲的全球佔有率也將達到5%左右,這將開始改變全球閃存市場的格局。

長江存儲128層閃存年底將量,與三星技術差距縮小到1年

2019年9月,長江存儲核心廠區 圖片來源:長江存儲官網

更重要的是,長江存儲所用設備很大一部分來自於國內企業,截至6月20日,國內企業中標數量排名為:北方華創(中標56台)、屹唐(46台)、中微公司(38台)、盛美半導體(18台)、華海清科(11台)、精測電子(8台)、瀋陽拓荊(5台)、中科飛測(3台)、睿勵(2台)。這些設備覆蓋了刻蝕、沉積、檢測、清洗、CMP多個領域。

受此消息的影響,昨天A股相關行業板塊和個股紛紛走強。

事實證明,像華為和長江那樣,不理會國內雜音的干擾,埋頭做事更容易出成績。

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