目前國產能夠實際量產的光刻機仍然停留在90nm級的水平，有些人説，既然國產光刻機在精度上遠遠不及ASML的EUV光刻機精度那麼高，那麼完全可以通過增大芯片面積來提升性能，從而在性能表現上不至於被國外的先進芯片拉開太遠，然而這種思路對於芯片製造而言，其實是非常不理性的，也是不科學的。
就拿華為的麒麟990作為例子，目前的麒麟990 5G芯片採用台積電7nm euv工藝製造，用的光刻機自然也是來自ASML的EUV光刻機，如果沒有使用7nm euv工藝來提升晶體管密度的話，那麼麒麟990可能就達不到目前應有的性能，也無法做到集成5G基帶，這樣的麒麟990顯然在市場競爭中就沒有那麼強的競爭力，相應的產品實力也會下降。
如果用14nm工藝來製造麒麟990，並且不惜芯片面積為代價的話，理論上當然也是可以做出來，但是這樣的芯片面積就可能翻番，然而製造芯片用的晶圓基本都是300毫米晶圓，所以説這樣以來，麒麟990的成本就會大幅提升，而且一旦晶圓上的瑕疵增多，那麼麒麟990的芯片產能也會受到影響，從而直接導致降低華為手機的供應。
所以説，無論是華為，還是高通和聯發科，大家都在追求極限的半導體工藝，目的就是為了儘可能讓芯片面積較小的情況下，使性能和功能特性最大化，從而提升競爭力。而且，目前主要的消費級市場以移動領域為主，所以即使芯片廠商必須要靠先進工藝來把芯片的面積和能耗控制住，如果是通過老一代光刻機和製程來做目前的主流級芯片完全行不通，而到目前也幾乎沒有敢這麼做的。